IR7184S

综述

700 V half-bridge gate driver IC with shutdown

700 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。

特征描述

  • 驱动 IGBT/MOSFET 功率器件
  • 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
  • 集成死区时间保护
  • 击穿（跨导）保护
  • 用于 VBS 的 VCC 欠压锁定
  • 3.3V、5V 、5V 输入逻辑兼容
  • 容许负瞬态电压高
  • 设计用于自举电源
  • 匹配的传播延迟
  • 工作温度：-40°C 到 125°C

潜在应用

图表
软件和工具
视频
7:03

An Introduction to Infineon Gate Drivers

What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert.

8:30

2EDL半桥驱动芯片

EiceDRIVER™ 2EDL是基于绝缘体上硅技术的600伏半桥门级驱动芯片系列, 其内部集成高性能低阻快恢复自举二极管, 适用于需高效率和小体积的各种应用.

培训
30:25

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训，您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

58:35

网络研讨会：每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果

我们提供诸多电平转换高压栅极驱动器产品组合，采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势：集成自举二极管，低电平转换损耗，节约空间和成本以及负 VS 稳健性。

支持