栅极驱动器IC-驱动芯片-英飞凌(Infineon)官网 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
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英飞凌和国际整流器公司（International Rectifier ）数十年的专业应用知识和技术发展凝练出一系列栅极驱动器 IC, 适用于硅和宽带隙功率器件，例如 MOSFET、分立式IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 以及 GaN HEMT。我们提供优质的产品系列：电气隔离栅极驱动器, 通过汽车认证的栅极驱动器, 200 V, 500-700 V, 1200 V 电平转换栅极驱动器, 以及非隔离低边驱动器 。
我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。先进的分立式开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和能力。无论是驱动分立器件还是模块，性能出众的栅极驱动配置对于所有电源开关而言必不可少。
EiceDRIVER™ gate driver IC applications
我们的 EiceDRIVER™栅极驱动器提供了先进的功能，如集成自举二极管 (BSD)，过流保护(OCP)，停机关断，故障报告，使能，输入过滤器, OPAMP, DESAT保护，可编程的死区时间，直通短路保护, 有源米勒箝位，有源关断，独立的拉电流和灌电流输出引脚，短路电流钳位，软关断，两电平关断，电气隔离(功能隔离, 基本隔离和增强隔离)等等。
理想的解决方案适用于工业电机驱动、太阳能逆变器、汽车、电动汽车充电桩、机器人、UPS、服务器和通信电源、白色家电和小家电、电池驱动应用和高电压照明等市场的数百种终端应用。
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在这次网络研讨会中，我们将探讨精选的栅极驱动芯片产品组合，它们具有一些共同的优点。
英飞凌定制栅极驱动器解决方案介绍视频解释了为什么栅极驱动器 IC 适用于多种应用，比如汽车、主要的家用电器、工业电机驱动装置、光伏逆变器、不间断电源 (UPS)、开关电源和高压照明。
您是否想了解更多关于英飞凌栅极驱动器的信息？请观看我们的介绍视频，熟悉我们的产品组合。
市场领先的 1200 V 绝缘体硅片电平转换栅极驱动器。本视频展示了英飞凌 SOI 产品优势。例如集成自举二极管、低电平转换损耗、节约空间和成本。
EiceDRIVER™ 电气隔离栅极驱动器采用独特无芯变压器 (CT) 技术，提供跨电气隔离信号传输。我们提供短路保护、100 kV/μs CMTI、有源米勒箝位、软关断和其他功能，该产品特别适用于驱动 SiC MOSFETs 和 GaN HEMT。
PCIM2021深圳英飞凌展出了基于磁隔离技术和SOI技术系列驱动IC新产品，并展示了为客户各类应用设计的评估板和参考设计
When we are designing a switching mode power supply, PCB layout is always an important topic. Solving interference problems by slowing down the switching speed of power devices is no longer a solution. Join us to see how to optimize PCB layouts.
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
Our 1200 V level-shift gate driver family is a high-voltage, level-shift technology that provides unique, measurable, and best-in-class advantages, including an integrated bootstrap-diode and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes.
Gate drivers are key components to enable applications, such as EV charging, Solar or Energy Storage Systems. But why are gate drivers so important? Stay tuned!
- 大致了解燃料电池系统及子系统的发展驱动力、市场和技术细节
- 重点介绍英飞凌作为适用产品的一站式供应商，提供了从产品到系统的解决方案
了解在高速开关应用中使用快速输出钳位电路对于输出侧电源低于UVLO检测电压时的重要性。
通过这次培训，您将学习如何计算IGBT应用的栅极电阻值，如何根据峰值电流和耗散功率要求来确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调优化。
碳化硅MOSFET为电力电子应用带来了大量机会。然而，如何通过使用碳化硅MOSFET并搭配合适的栅极驱动芯片来充分实现系统优势呢？这次培训将帮助您学习如何计算碳化硅MOSFET的栅极电阻参考值；如何根据峰值电流和耗散功率要求来确定合适的栅极驱动IC；以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。
This training will give you some hints on how to select the right gate driver, the requirements of industrial drives, our offering and the dimensioning of the gate driver circuit.
- EiceDRIVER™隔离式栅极驱动芯片系列采用最先进的无芯变压器 (CT) 隔离技术
- 基于CT的隔离式栅极驱动芯片具备更大电流、更低功耗、更好的CMTI和同类产品中最出色的传播延迟匹配
- 非常适合CoolSiC™ SiC MOSFET和IGBT7。通过VDE 0884-11 & UL 1577认证。适用于太阳能应用、电动汽车充电应用、工业驱动系统和UPS等
观看我们的网络研讨会，进一步了解在大功率应用和低功率应用中，硅、碳化硅和氮化镓功率器件不同的技术定位。
我们提供多种多样的电平移位高压栅极驱动产品组合，包括绝缘体上硅 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌SOI栅极驱动芯片的诸多优势：具备集成自举二极管、电平移位损耗低、节省空间和成本以及负VS稳健性。
