全桥驱动芯片
栅极驱动器IC在全桥配置时,可控制MOSFET 或 IGBT等功率器件
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。我们的栅极驱动器 IC 解决方案堪称行家之选。我们提供全桥栅极驱动器 IC ,四通道,拥有两个独立的半桥,并具有击穿保护功能。IRS2453D系列具备自激振荡功能,适用于 HID 照明应用。IR2086S是一款自激振荡全桥控制器和驱动 IC,是36 V - 75 V全桥直流逆变器的理想之选。
我们还提供通过汽车认证的全桥栅极驱动器 IC 。
典型全桥栅极驱动器连接图解
英飞凌和国际整流器公司(International Rectifier )数十年的应用专业知识和技术发展凝练出一系列适用于硅和宽带隙功率器件的栅极驱动器 IC,例如 MOSFET、分立式IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 以及 GaN HEMT。我们提供优质的产品系列:电气隔离栅极驱动器, 通过汽车认证的栅极驱动器, 200 V, 500-700 V, 1200 V 电平转换栅极驱动器, 以及非隔离低边驱动器 。
我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。先进的分立式开关系列需要调整栅极驱动电路,以充分利用其性能和功能。无论是采用分立形式还是置于电源模块中,性能出众的栅极驱动配置对于所有电源开关而言必不可少。
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通过该培训,您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片,以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.