EiceDRIVER™ 1ED 紧凑型栅极驱动器 IC

综述

采用 150 mil 和 300 mil 封装的 1200 V 电气隔离单通道 1EDI 和 1EDC（UL 认证）紧凑型产品系列

EiceDRIVER™ 1EDC  紧凑型 300 mil 产品系列通过 UL 1577 认证，1 分钟绝缘测试电压为 VISO = 2500 V(rms)。

功能性电气隔离 EiceDRIVER™ 1EDI 紧凑型 150 mil 和 300 mil 产品系列也已上市。我们提供，爬电距离增加至 8 毫米的宽体封装选项，提高的热性能以及优化的引脚输出。

这些电气隔离驱动器以我们的无芯变压器 (CT) 技术为基础，实现了先进的 100 kV/μs 的的共模瞬变抗扰度(CMTI)。这些驱动器在单独输出引脚的拉灌电流能力驱动能力高达 10 A，是基于 IGBT 的应用的理想选择，如太阳能串逆变器、电动汽车充电站、工业驱动器、焊接设备、感应加热电器、服务器和通信系统的电源。

产品
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采用 150 mil 和 300 mil 封装的栅极驱动器 IC

1ED 紧凑型产品系列有 9 个型号，每个型号有 3 个子产品系列：

  • 1EDx05I12AH/AF、1EDx20I12AH/AF、1EDx40I12AH/AF 和 1EDx60I12AH/AF 在单独的拉/灌输出引脚上提供 0.9 A 至 10 A 的栅极驱动强度，典型的传播延迟为 300 ns。
  • 1EDx20H(N)12AH/AF 和 1EDx60H(N)12AH/AF 是高速 IGBT 和 SiC MOSFET 应用的理想选择，传播延迟更短，仅为 120 ns。
  • 1EDx10I12MH、1EDx20I12MH 和 1EDx30I12MH 采用集成式有源米勒箝，实现输出电流范围为 1.7A 至 5.2 A；1EDI10I12MF、1EDI20I12MF 和 1EDI30I12MF 实现输出电流范围为 2.2 A 至 6.2 A。
  • 1EDC 产品系列通过 UL 1577 认证，1 分钟绝缘测试电压为 VISO = 2500 V(rms)
  • 优化的引脚输出简化了低阻抗电源的 PCB 设计。
  • 所有驱动器均无卤，且符合 RoHS，具有爬电距离为 8 毫米的宽体封装。

产品特性

 

所有产品都可采用 DSO-8 150 mil 和 300 mil 封装。通过将 EiceDRIVER™ 与超结 MOSFET 相结合，如 CoolMOS™、IGBT、碳化硅 (SiC)  MOSFET，如 CoolSiC™，以及 IGBT 模块，英飞凌助力客户实现他们的设计目标。

特性 应用
  • 单通道高压栅极驱动器 IC
  • 1200 V 输入输出隔离电压
  • 提供具备  8 毫米爬电距离的DSO-8 300 mil 宽体封装
  • 适用于 600 V/650 V/1200 V IGBT、MOSFET 以及 SiC MOSFET 器件和模块
  • 高达 10 A 的典型峰值轨到轨输出
  • 适用于在高环境温度下工作
  • 单独的拉灌输出或有源米勒箝
  • 超过 100 kV/μs CMTI
  • 优化的引脚输出，用于低阻抗电源
  • 无需调整 μController 和驱动器之间的信号电压电平
  • 短路夹紧
  • 主动关断

通用逆变器

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工业电机驱动

光伏逆变器

电动汽车充电站

焊接设备

商用、建筑和农用车辆 (CAV)

 

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EiceDRIVER™ galvanically isolated gate drivers use the unique coreless transformer (CT) technology to provide signal transfer across the galvanic isolation. We offer short circuit protection, 100 kV/μs CMTI, active Miller clamp, soft turn off and other features, especially for driving SiC MOSFETs and GaN HEMTs.

培训
1ED34xx: 1-ch isolated driver with adj. DESAT & soft-off
  • EiceDRIVER™ Enhanced now include 1ED34XX (X3 Analog), with DESAT(adjustable filter time), soft-off(adjustable current)
  • Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

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