EiceDRIVER™ 2EDN Gate Driver for MOSFETs

综述

可靠、冷却性能卓越而快速的双通道低边4A/5A驱动芯片

双通道MOSFET驱动IC是数字控制芯片和强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。MOSFET驱动芯片能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。

2EDN系列：快速、精确、稳定又兼容

  • 适应快速MOSFET和氮化镓开关的压摆率短至5ns，传播延时精确到10ns，推动高效率开关电源
  • 双5A通道，多种配置选项。1ns通道间精确度允许并联使用双通道
  • 工业标准封装和引脚，易于系统设计升级
产品
亮点
产品一览
  • 异常条件下用于MOSFET瞬时保护的4V和8V UVLO（欠压闭锁）
  • 信号输入和使能端的-10V耐压为驱动脉冲变压器或以TO-220和TO-247封装的MOSFET提供至关重要的安全裕量
  • 输出端5A反向电流能力使得外置肖特基开关二极管不再是必需品，节省物料
  • 真正的轨到轨低阻抗输出级，使得驱动芯片发热更低
  • 20 ns（典型值）的快速有源输出钳位和 2 µs（典型值）的快速 UVLO 启动时间确保系统稳健安全运行

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下一代 EiceDRIVER™ 2EDN Gen 2 栅极驱动器 IC

全新 EiceDRIVER™ 2EDN Gen 2 系列包括稳定可靠的双通道低边 4 A/5 A 栅极驱动器 IC。产品不仅适用于高速功率 MOSFET，还可用于宽禁带 (WBG) 材料的开关器件。此类栅极驱动器助力工程师满足不同封装尺寸的设计要求，确保系统在进入欠压锁定 (UVLO) 状态前安全关断，提升 UVLO 响应速度，进而实现稳定的系统运行，增强抗干扰能力

在本次网络研讨会中，我们将介绍具备相同优势的精选栅极驱动器 IC 产品组合。

双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 以及 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 1 部分

双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 2 部分

英飞凌针对 MOSFET 推出了一系列不同型号的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器。1EDN 单通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是连接控制 IC、高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件的关键要素。英飞凌还提供 2EDN 双通道 MOSFET 驱动器 IC。此外，具备真差分输入的单通道非隔离栅极驱动器称为 1EDN TDI。而栅极驱动 IC 系列双通道隔离产品 2EDi 则旨在高性能 CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥架构中实现稳定运行。

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