EiceDRIVER™ 2EDN Gate Driver for MOSFETs

综述

可靠、冷却性能卓越而快速的双通道低边4A/5A驱动芯片

双通道MOSFET驱动IC是数字控制芯片和强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。MOSFET驱动芯片能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。

2EDN系列：快速、精确、稳定又兼容

  • 适应快速MOSFET和氮化镓开关的压摆率短至5ns，传播延时精确到10ns，推动高效率开关电源
  • 双5A通道，多种配置选项。1ns通道间精确度允许并联使用双通道
  • 工业标准封装和引脚，易于系统设计升级
产品
亮点
产品一览
  • 异常条件下用于MOSFET瞬时保护的4V和8V UVLO（欠压闭锁）
  • 信号输入和使能端的-10V耐压为驱动脉冲变压器或以TO-220和TO-247封装的MOSFET提供至关重要的安全裕量
  • 输出端5A反向电流能力使得外置肖特基开关二极管不再是必需品，节省物料
  • 真正的轨到轨低阻抗输出级，使得驱动芯片发热更低
  • 20 ns（典型值）的快速有源输出钳位和 2 µs（典型值）的快速 UVLO 启动时间确保系统稳健安全运行

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视频
Gate driving solutions for SiC MOSFETs and GaN HEMTs including configurable isolated bias supply

Watch this video to find the latest solutions to drive high voltage SiC MOSFETs and GaN HEMTs using dedicated EiceDRIVER™ single-channel and dual-channel gate driver ICs as shown in the EVAL_2EDB_HB_GaN, KIT_1EDB_AUX_GaN, and KIT_1EDB_AUX_SiC demo boards. These small demo kits have a configurable isolated bias supply that allows to generate different positive and negative voltage levels with 1% voltage regulation and power levels up to 1.5 W. Speed up your design cycle and reduce time to market with these simple to use building blocks.

全新 EiceDRIVER™ 2EDN Gen 2 系列包括稳定可靠的双通道低边 4 A/5 A 栅极驱动器 IC。产品不仅适用于高速功率 MOSFET，还可用于宽禁带 (WBG) 材料的开关器件。此类栅极驱动器助力工程师满足不同封装尺寸的设计要求，确保系统在进入欠压锁定 (UVLO) 状态前安全关断，提升 UVLO 响应速度，进而实现稳定的系统运行，增强抗干扰能力

在本次网络研讨会中，我们将介绍具备相同优势的精选栅极驱动器 IC 产品组合。

双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 以及 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 1 部分

双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 2 部分

英飞凌针对 MOSFET 推出了一系列不同型号的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器。1EDN 单通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是连接控制 IC、高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件的关键要素。英飞凌还提供 2EDN 双通道 MOSFET 驱动器 IC。此外，具备真差分输入的单通道非隔离栅极驱动器称为 1EDN TDI。而栅极驱动 IC 系列双通道隔离产品 2EDi 则旨在高性能 CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥架构中实现稳定运行。

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