EiceDRIVER™ 1EDN71x6x
综述
适用于 GaN 肖特基栅极 HEMT 和 MOSFET 的 EiceDRIVER™ 200 V 高边 TDI 栅极驱动器
1EDN71x6G 是一款单通道栅极驱动器 IC,旨在用于驱动英飞凌 CoolGaN™ 肖特基栅极 (SG) HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET。该款栅极驱动器具备几大关键特性,包括真差分输入 (TDI)、四个驱动强度选项、有源米勒箝位、自举电压箝位和可调节电荷泵,有助于配合快速开关晶体管打造高性能系统得益于 TDI 功能,只要共模电压低于 150 V(静态)/200 V(动态),栅极驱动器的输出状态就完全由两个输入之间的电压差控制,与驱动器的参考(接地)电位无关。该设计能有效避免因低边应用接地反弹引起的误触发,同时还可助力 1EDN71x6G 运用于高边应用。
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