Dual-channel isolated gate driver | EiceDRIVER™ 2EDi

 精确定时的快速功率切换

•  可提供 4A/8A和1A/2A 源/灌电流
•  传播延迟典型37 ns, 3 ns通道间不匹配
•  延迟变异~14 ns

 针对区域和系统BOM进行了优化>在一个封装中进行隔离和驱动

•  由于低导通电阻降低功耗
•  输出级具有5A反向电流能力

 稳健的设计，防止开关噪音

•  浮动驱动器能够处理大的感应电压过冲和下冲
•  非常好的共模瞬态抗扰度CMTI > 150 V / ns
•  欠压锁定功能，用于开关保护

 输出到输出通道间隔离

•  功能级电流隔离

 输入到输出通道间隔离

•  功能和增强电流隔离

 效率提升和更低的损耗

•  由于快速准确的开启/关闭，降低了半桥中的开关损耗
•  适用于新型数字，快速高分辨率PWM控制，包括轻载优化

 在更小的外形尺寸下改善热性能

•  LGA采用1 mm, DSO封装高度为2.3 mm, 与脉冲变压器的体积>1cm³ 对比
•  消除栅极驱动器输出上两个高成本的保护二极管

 保护和安全操作

•  非常适合用于具有快速开关瞬态的高功率设计
•  可靠的CT无芯变压器PWM信号链，用于接通高压侧MOSFET

 灵活的配置

• HS+LS, HS+HS, LS+LS or 2x Imax on 1xHS

 监管安全

•  适用于初级侧控制
•  加强了二次侧控制

•  实现更高的系统效率和更高的功率密度设计
•  改善长期竞争成本定位，更轻易于与其它零件或系统集成和大规模制造
•  通过改善正常和异常现场（电网）状态下电源开关的安全操作，延长终端产品的使用寿命
•  通过接地隔离降低EMI，驱动器与MOSFET的短距离或使用4引脚开尔文源MOSFET
•  通过组件（VDE884-x，UL1577）和系统（IEC60950，IEC62386）证书简化安全认证

• 封装中，使用小型架构驱动器十分简便且可实现绝缘

• 高速4A/8A 和 1A/2A 栅极驱动器，仅仅产生 37ns 的传播延迟，可改善功率效率

• 功率级范围内外保持平稳且高分辨率的PWM 时序准确性，可优化完全和轻负载效率

• 电气隔离，具有150V/ns CMTI 的鲁棒性，适用于嘈杂的高电压 MOSFET 功率开关环境

• 具有竞争力的完整系统的器件成本，可优化防护特性。

• 凭借UL1577, VDE0884-1x, IEC60950/62386 强化型安全证书，可更快进入市场

• 通信 DC-DC
• 服务器
• 工业级开关电源（SMPS）
• 不间断电源（UPS）
• 电池
• 电动汽车-充电
• DC-DC
• 智能电网