6EDM2003L06-F10 IGBT和MOSFET三相桥驱动器IC裸片
综述
6EDM2003L06-F10是一款最高阻断电压达到+600 V的全桥驱动器，适用于三相系统中MOSFET或IGBT等功率器件的控制。由于采用了绝缘体上硅（SOI）技术，它对瞬态电压具有良好的耐受能力。由于器件中没有寄生晶闸管结构，可避免在所有温度和电压条件下发生寄生闩锁效应。
特征描述
- 600 V薄膜SOI技术
- 耐受-50V的负瞬态电压尖峰
- 集成自举功能
- 输入与CMOS和LSTTL兼容
- 互锁功能防止发生击穿
- 过流保护和欠压锁定
- 发生故障时关断所有开关
- 过流保护后65 µs故障清除延迟时间
优势
- 集成自举二极管帮助节省成本
- -50V的负瞬态电压耐受能力帮助提高可靠性
- 集成保护功能帮助节省成本
- 电源电压偏低时进行欠压锁定保护
图表
支持
