6EDL04N065PR 650 V三相栅极驱动器：支持过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示和集成自举二极管（BSD）

综述

第二代650 V EiceDRIVER™ 三相栅极驱动器，具有典型的0.165 A源电流和0.375 A灌电流，采用TSSOP-25封装，适用于IGBT和MOSFET。

特征描述

  • 采用英飞凌薄膜SOI技术
  • 最大阻断电压：+650 V
  • 输出电流：+0.165 A/-0.375 A
  • 集成自举二极管
  • 负瞬态电压抗扰能力：高达-50 V
  • 过流检测和欠压检测
  • 可编程故障清除延迟
  • 防止交叉导通

优势

  • 紧凑的封装解决方案
  • 更高效率
  • 更高可靠性
  • 更高击穿电压：650 V
  • 易于设计
图表
培训

Minimize your costs with compact solutions that offer bigger benefits! Discover Infineon's new 650 V 6EDL04 gate driver, featuring a strong negative Vs capability to prevent malfunctions and a higher voltage rating for better handling of DC bus voltage transients. This product combines higher voltage ratings with best-in-class robustness in a compact TSSOP-25 package. Join us to explore the new 6EDL04 family and its benefits.​

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