6ED2230S12T
综述
采用DSO-24封装,带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器
特征描述
- 1200 V 英飞凌薄膜SOI技术
- 集成超快自举二极管
- SOI技术可承受高达-100V的负瞬态电压(脉冲宽度高达700ns)
- 输出源/漏电流能力+0.35 A/-0.65 A
- 过电流保护(ITRIP +/- 5%基准)
- 集成460 ns死区时间保护
- 直通(上下管由于寄生导通)保护
- 集成输入滤波器,抗噪声
- VCC和VBS的独立欠压锁定
- RFE引脚同时具备故障报告、自动故障清除和重启功能
- 匹配所有通道的传播延迟
- 3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
- DSO-24封装(移除了4个引脚的DSO-28,以保证足够绝缘间隙)
潜在应用
图表
视频
培训
支持