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综述

采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器

1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。

特征描述

  • 1200 V 英飞凌薄膜SOI技术
  • 集成超快自举二极管
  • SOI技术可承受高达-100V的负瞬态电压（脉冲宽度高达700ns）
  • 输出源/漏电流能力+0.35 A/-0.65 A
  • 过电流保护（ITRIP +/- 5%基准）
  • 集成460 ns死区时间保护
  • 直通（上下管由于寄生导通）保护
  • 集成输入滤波器，抗噪声
  • VCC和VBS的独立欠压锁定
  • RFE引脚同时具备故障报告、自动故障清除和重启功能
  • 匹配所有通道的传播延迟
  • 3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
  • DSO-24封装（移除了4个引脚的DSO-28，以保证足够绝缘间隙）

潜在应用

图表
视频
7:03

An Introduction to Infineon Gate Drivers

What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert.

培训

采用LLC半桥拓扑结构的SOI电平转换栅极驱动IC

26:06

该培训的重点是电平转换栅极驱动器的工作原理，并介绍什么是负电压瞬变及其对电平转换栅极驱动器有怎样的影响。此外还将介绍结隔离与英飞凌绝缘体上硅技术之间的技术区别。

在线研讨会：每个开关都需要驱动器—合适的驱动器可以创造不同

58:35

我们提供广博的电平转换高压栅极驱动器产品组合，产品结合绝缘体上硅（SOI）和结隔离（JI）技术。了解英飞凌SOI栅极驱动器的诸多优势：集成自举二极管、电平转换损耗低、节省空间和成本及拥有负VS稳健性。

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

30:25

通过该培训，您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

支持