2ED2388S06F 集成自举二极管的650 V半桥栅极驱动器

综述

650 V 高速半桥栅极驱动器，拥有典型的 0.29 A 源电流和0.7 A 灌电流，采用 DSO-8 封装，适用于驱动功率MOSFET 和 IGBT

由于采用了英飞凌的 SOI 技术，2ED2388S06F针对VS引脚的负瞬态电压具有出色的坚固性和抗噪性。该器件没有寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。

特征描述

工作电压（VS节点）高达 + 650 V
耐受 VS 引脚 -100 V 负瞬态电压
集成超快、低电阻自举二极管
90 ns 传输延迟
HIN、LIN 逻辑输入
浮动通道，用于自举操作
两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
VS引脚的逻辑操作高达–11 V
输入负电压容差：–5 V
最大电源电压：25 V
3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容

优势

集成自举二极管（BSD）—— 节省空间，减少材料消耗，缩小电路板尺寸，降低成本，并实现更简单的设计
电平转换损耗降低50%
针对VS引脚的负瞬态电压具有出色的坚固性和抗噪性

2ED2388 family variations

Part No	Package	Input logic	Interlock	Deadtime
2ED2101S06F	DSO-8	HIN, LIN	NO	None
2ED2103S06F	DSO-8	HIN, /LIN	YES	Internal 520 ns
2ED2104S06F	DSO-8	IN, /SD	YES	Internal 520 ns

图表

支持