1EDN7126G

综述

EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化

EiceDRIVER™1EDN7126G 是一款单通道栅极驱动器 IC，针对CoolGaN™ HEMTs与其他肖特基栅极 (SG) GaN HEMT 和硅 MOSFET的兼容性进行了优化。得益于其真差分输入 (TDI) 特性，只要共模电压低于 150 V （静态）和 200 V （动态），栅极驱动器的输出状态完全由两个输入端之间的电压差控制，完全不受驱动器的参考（接地）电位影响。这消除了低侧应用中由于接地反弹而导致的错误触发风险，同时也使 1EDN7116G 甚至可以应对高侧应用。

特征描述

  • 全差分逻辑输入电路，以避免在低侧或高侧操作中出现错误触发
  • 高共模输入电压范围 (CMR) 高达 ±200V，适用于高侧操作
  • 对共模压摆率的高抗扰性能（100 V/ns)，可在快速开关瞬态期间稳健操作
  • 兼容 3.3 V 或 5 V 逻辑输入
  • 四种驱动强度变体，无需外部栅极电阻即可优化开关速度——高达 2 A 源/灌电流能力
  • 有源自举钳位，避免自举电容死区时间过度充电
  • 有源米勒钳位，具有 5 A 灌电流能力，可避免感应导通
  • 用于负关断电源电压的可调电荷泵
  • 适用于驱动 GaN HEMT 或硅 MOSFET
  • 符合 JEDEC 目标应用标准

优势

  • 高侧驱动和低侧地弹抗扰性能
  • 无需外部栅极电阻即可优化开关速度
  • 避免了感应导通
  • 附加感应导通抗扰性能
  • 在死区时间内，自举电容不会过度充电

潜在应用

质量
支持