1EDN7126G
综述
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC,专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化
EiceDRIVER™1EDN7126G 是一款单通道栅极驱动器 IC,针对CoolGaN™ HEMTs与其他肖特基栅极 (SG) GaN HEMT 和硅 MOSFET的兼容性进行了优化。得益于其真差分输入 (TDI) 特性,只要共模电压低于 150 V (静态)和 200 V (动态),栅极驱动器的输出状态完全由两个输入端之间的电压差控制,完全不受驱动器的参考(接地)电位影响。这消除了低侧应用中由于接地反弹而导致的错误触发风险,同时也使 1EDN7116G 甚至可以应对高侧应用。
特征描述
- 全差分逻辑输入电路,以避免在低侧或高侧操作中出现错误触发
- 高共模输入电压范围 (CMR) 高达 ±200V,适用于高侧操作
- 对共模压摆率的高抗扰性能(100 V/ns),可在快速开关瞬态期间稳健操作
- 兼容 3.3 V 或 5 V 逻辑输入
- 四种驱动强度变体,无需外部栅极电阻即可优化开关速度——高达 2 A 源/灌电流能力
- 有源自举钳位,避免自举电容死区时间过度充电
- 有源米勒钳位,具有 5 A 灌电流能力,可避免感应导通
- 用于负关断电源电压的可调电荷泵
- 适用于驱动 GaN HEMT 或硅 MOSFET
- 符合 JEDEC 目标应用标准
优势
- 高侧驱动和低侧地弹抗扰性能
- 无需外部栅极电阻即可优化开关速度
- 避免了感应导通
- 附加感应导通抗扰性能
- 在死区时间内,自举电容不会过度充电
潜在应用
质量
支持