Infineon Technologies - Semiconductor and System Solutions
  • 产品分类
  • 应用领域
  • 设计支持
  • 社区
  • 关于我们
  • 求职
  • 工程师月报
  • 联系我们
  • 全球销售网络
  • 简体中文
    • English
    • Deutsch
    • 日本語
  • myInfineon
    • 注册 myInfineon 账号
  • 购物车
  • 投资者
  • Infineon at a Glance
  • News & Events
  • Reports & Presentations
  • Infineon Share
  • Fixed Income
  • Corporate Governance
  • Shareholder Service
  • Contact
  • 公司信息
  • 事业部
  • 董事会
  • 监事会
  • 分公司
  • 采购
  • 强大的组合
  • 质量
  • 赛普拉斯收购
  • Infineon Awards
  • 企业社会责任
  • 环境
  • 卫生与安全
  • 商业道德规范
  • 企业公民活动
  • 企业社会责任供应链
  • 人权
  • 企业社会责任报告
  • 概览
  • 一般信息
  • 新闻稿
  • 市场新闻
  • 新闻资料
  • 媒体资料库
  • 市场活动
  • 媒体联络
  • 展览及会议
  • 探索
  • 智能家居
  • 智能汽车
  • 物联网
  • 工业4.0
  • 能源效率
  • 大数据
  • 所有文章
视频
  • Home
  • 产品分类
  • 功率器件
  • GaN HEMT – 氮化镓晶体管
  • Integrated Power Stage (GaN)

综述

英飞凌的 CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 采用市场上最可靠的氮化镓和驱动器技术,将超高能源效率和可靠性与易用性相结合。CoolGaN™ IPS 搭配了 CoolGaN™ 常闭增强模式氮化镓开关与专用集成 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,采用热特性增强的 QFN 封装。集成式设计有利于设计者在减少无源元件尺寸的基础上节省更多的 PCB 空间,以实现更小的外形尺寸设计。

如今的 CoolGaN™ IPS 600V 系列包括多种配置,如利用两个 CoolGaN™ 氮化镓晶体管和 EiceDRIVER™ 驱动器的半桥器件,采用 8x8mm 小型 QFN-28 封装或 6x8mm 小型 QFN-26 封装,以及利用 EiceDRIVER™ 驱动器的单通道配置,采用紧凑型 8x8mm QFN-21 封装。

功率密度方面的突破

与硅器件相比,CoolGaN™ 具有 10 倍的高击穿电场,电子迁移率也高出 2 倍。CoolGaN™ 高频工作能力的关键在于,与硅基器件相比,其输出和栅极电荷低了 10 倍,而且反向恢复电荷几乎为零。

目标应用

CoolGaN™ 更快的开关能力和集成化带来的易用性,为 USB-PD 充电器和适配器、壁式插座和超薄电视电源等开关电源应用提供了超高能源效率和可靠性。

背后的技术支撑

CoolGaN™ IPS 是英飞凌分立 CoolGaN™ 技术的演进和下一步计划。英飞凌完善了 GaN 增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。领先的质量确保极高的标准,于市场上的一众 GaN HEMTs 产品中提供了最可靠且性能优越的解决方案。

了解更多关于英飞凌 CoolGaN™ 技术 的信息

CoolGaN™ IPS 在充电器/适配器应用中的优势
产品
亮点
Infineon banner Stay informed CoolGaN™ IPS

加入 GaN 集成变革

从英飞凌的 GaN 专家那里获得第一手的技术见解和产品细节。立即注册,开启 CoolGaN™ IPS 之旅。获取独家内容,进行通知和培训,以加快产品上市时间。

  • 随时了解情况
文件
评估板
软件和工具
仿真工具
视频
培训

CoolGaN™ IPS 在高密度充电器和适配器方面的优势

Infineon training Benefits of CoolGaN™ IPS

了解英飞凌 CoolGaN™ 在充电器和适配器系统功率密度方面取得突破的原因。

观看电子教学
应用
支持
寻求技术支持
给技术支持中心拨打免费热线电话
与专家团队 在线实时沟通
向社区寻求支持
联系
Home > 产品分类 > 功率器件 > GaN HEMT – 氮化镓晶体管 > Integrated Power Stage (GaN)
Follow us
  • 英飞凌中国
  • 英飞凌工业半导体
  • 汽车电子生态圈

© 1999 - 2022 Infineon Technologies AG

  • Usage of this website is subject to our Usage Terms
  • Imprint
  • Contact
  • Privacy Policy
  • Glossary

苏ICP备15016286号-1 | 苏公网安备 32021402001016号 | 营业执照

  • Switch to Mobile Version
  • Switch to Desktop Version