综述
英飞凌的 CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 采用市场上最可靠的氮化镓和驱动器技术，将超高能源效率和可靠性与易用性相结合。CoolGaN™ IPS 搭配了 CoolGaN™ 常闭增强模式氮化镓开关与专用集成 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，采用热特性增强的 QFN 封装。集成式设计有利于设计者在减少无源元件尺寸的基础上节省更多的 PCB 空间，以实现更小的外形尺寸设计。
如今的 CoolGaN™ IPS 600V 系列包括多种配置，如利用两个 CoolGaN™ 氮化镓晶体管和 EiceDRIVER™ 驱动器的半桥器件，采用 8x8mm 小型 QFN-28 封装或 6x8mm 小型 QFN-26 封装，以及利用 EiceDRIVER™ 驱动器的单通道配置，采用紧凑型 8x8mm QFN-21 封装。
与硅器件相比，CoolGaN™ 具有 10 倍的高击穿电场，电子迁移率也高出 2 倍。CoolGaN™ 高频工作能力的关键在于，与硅基器件相比，其输出和栅极电荷低了 10 倍，而且反向恢复电荷几乎为零。
CoolGaN™ 更快的开关能力和集成化带来的易用性，为 USB-PD 充电器和适配器、壁式插座和超薄电视电源等开关电源应用提供了超高能源效率和可靠性。
CoolGaN™ IPS 是英飞凌分立 CoolGaN™ 技术的演进和下一步计划。英飞凌完善了 GaN 增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。领先的质量确保极高的标准，于市场上的一众 GaN HEMTs 产品中提供了最可靠且性能优越的解决方案。
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