CoolGaN™集成电源级(IPS)-英飞凌(infineon)官网
氮化镓作为传统硅衬底半导体的更理想替代品,其采用率越来越高。这是因为氮化镓能够在更高的开关频率、更高的温度下工作,而且能量损耗也能显著降低,还能减少无源组件的使用。
英飞凌的 CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 建立在英飞凌高效 CoolGaN™ 技术奠定的坚实基础之上。通过将混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 结构的无可比拟的稳健性与集成的精密 EiceDRIVER™ 栅极驱动器技术相结合,英飞凌将氮化镓技术提升到了一个新水平。这可实现更小的物理封脚和更高的功率密度及能源效率——使其成为了硅半导体的优越替代品。
英飞凌目前提供了市场上最可靠的氮化镓半桥式解决方案之一。两个氮化镓开关采用半桥式功率级配置(电阻范围 140mΩ ~ 500mΩ),配有专用栅极驱动器,采用热增强型 QFN (8x8mm) 或 LGA (6x8mm) 封装。
氮化镓技术具有集成驱动器优势,旨在利用更快的开关频率和更高的功率密度。对于工程师而言,CoolGaN™ IPS 意味着系统更节能,因为与典型硅衬底相比,其能量传输能力更出色、设计灵活性和 PCB 空间利用率更高,而且由于单个氮化镓/功率集成电路简化了实施流程,其上市时间也更快。
目标应用包括开关模式电源应用,例如 USB 充电器/适配器、墙壁插头、电视电源、服务器和电信,以及 LED 照明和电机驱动。
与硅相比,氮化镓(GaN) 技术具有多个明显优势,因此许多应用越来越多地采用了这种半导体技术,特别是那些要求更高开关频率、更高功率密度和更低能量损耗的应用。
氮化镓能够在更高的开关频率下工作并维持更宽的温度范围,从而减少了无源冷却组件的使用,这样就能降低系统成本,减少最终客户的运营支出。这也支持生产具有更高功率密度的小型器件。
英飞凌的 CoolGaN™ 集成功率级 通过提供热增强型 QFN 封装解决方案扩展了这些核心优势。英飞凌最先进的氮化镓开关采用半桥式功率级 设计,配有专用驱动器,产品外形尺寸最佳、成本低,而且便于从单个集成电路集成。通过集成英飞凌久经考验的氮化镓和驱动器技术,CoolGaN™ IPS 代表了半导体发展的一个进步,并被定位为业界事实上的氮化镓解决方案。
CoolGaN™ IPS 特别适用于充电器/适配器和电源 应用。
随着制造商寻求通过减少设备附带的充电器和适配器来减少浪费,同时更多行业继续向通用充电端口(C 型)过渡,消费者对适配器的功率和通用性的要求也越来越高。CoolGaN™ IPS 能够实现超紧凑型设计,能够通过单一电源为多个设备供电,而 CoolGaN™ 技术的卓越功率密度和效率还能让消费者更快地为其设备充电——适配器足够紧凑,可以随身携带,而且功能强大,可以以相当快的速度为所有用户的电子产品充电。
对于家用电器,CoolGaN™ IPS 支持设计超薄电源,实现比以往更高的能源效率水平。这让消费者能够节省成本,同时也使家用电器更容易集成到家庭中,例如安装电视和隐藏电源。
其他应用包括 LED 照明——氮化镓技术在该领域长期以来一直是主要导体解决方案——服务器、电信和网络 SMPS 以及低功率电机驱动。无论何种应用,集成电路解决方案都意味着强大的易用性和更快的上市时间。

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