GS-065-011-1-L-TR CoolGaN™晶体管650 V ≤G3，具有极高的效率和可靠性
综述
GS-065-011-1-L-TR 是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 GS-065-011-1-L-TR 是一款采用 5x6 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他中等功率应用所需的理想功耗。
特征描述
- 增强型 HEMT – 常闭
- 超快开关
- 无反向恢复电荷
- 具有反向导通能力
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 卓越的换向强度
- 符合JEDEC标准（JESD47、JESD22）
- 底部冷却
- 零反向恢复损耗
- 源极检测焊盘可实现最佳栅极驱动
- 快速、可控的下降和上升时间
- 符合 RoHS 3(6+4) 标准
优势
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 减轻系统重量
- 实现更高的工作频率
- 节省系统成本
- 降低电磁干扰
支持
