GaN HEMT – 氮化镓晶体管
GaN HEMT – 氮化镓晶体管 子类别
CoolGaN™ - 终极效率和可靠性,易于使用
氮化镓 (GaN) 相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅 MOSFET,氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容,使其尤为适用于功率半导体器件,让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。氮化镓晶体管可以在缩短死区时间的情况下工作,从而提高效率,并实现被动冷却。在高开关频率下工作可以缩小被动器件的体积,从而提高了 GaN HEMT 的可靠性和整体功率密度。
氮化镓晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。由于英飞凌 CoolGaN™ 晶体管无少数载流子和体二极管结构,因此不会出现反向恢复现象。因此,可以采用图腾柱 PFC 等硬开关拓扑结构来实现更高的效率,例如在数据中心和服务器电源中使用,可以节省能源并降低运营费用。
英飞凌 CoolGaN™ 是一种高效的 GaN (氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。领先的质量确保极高的标准,于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能优越的解决方案。
采用 CoolGaN™ 的开关电源电路将受益于能效及功率密度的提高,这即使在最先进的硅器件中也是绝无可能实现的。在 200-250 kHz 以上的高频操作中,开关速度是决定能量传输方式的关键。英飞凌 CoolGaN™ 的超快开关速度让死区时间变得极短。超过 15 年的预计使用寿命以及低于 1 FIT的失效率所展现的可靠性与质量将使客户受益颇多。
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
By watching this eLearning you will:
- Understand package inductance
- Know why wide bandgap transistors are more susceptible to package inductance, and
- Identify which Infineon package types have lower inductance
在本次在线学习课程中,您将了解英飞凌 600V CoolGaN™ 晶体管的主要特性和优势。
在本次在线学习课程中,您将了解氮化镓功率晶体管与硅功率晶体管的异同。
英飞凌 CoolGaN™ 是市场上最可靠的氮化镓功率开关器件之一。为了达到这一结果,英飞凌基于具体应用遵循全面的产品鉴定程序以确保实现可靠运行,满足功率转换系统的设计使用寿命及质量要求。于本次培训,您可了解CoolGaN™ 数据表中添加的瞬态电压额定值。
氮化镓开关需要通专门的方法进行资格认证,远远超出现有的硅标准。 英飞凌完全达到氮化镓器件的质量标准,并且在不影响长期质量和可靠性的情况下,使其远远超出标准。
CoolGaN™ - 氮化镓晶体管是市面上性能最好的功率器件。深入了解这项技术。
英飞凌在所有三种主要的功率半导体技术方面都能提供值得信赖的专业技术。查看如何在 ACDC 应用中对其进行定位!
观看的网络研讨会,了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。
Do you want to learn about switched mode power supplies (SMPS), but have little to no background in electrical engineering? Then watch this training series!
It will take you on a journey: You will start with the basics of electrical engineering and learn the principles of semiconductors so you are fully prepared to dive into the world of SMPS.
Part 1 - Electrical engineering fundamentals
Part 2 - Principles of semiconductors
Part 3 - Introduction to SMPS
Part 4 - SMPS topologies





