GaN HEMT – Gallium Nitride Transistor

氮化镓（GaN）超越了硅的基本优势。特别是较高临界的电场对于具有出色的特定导通电阻和较小的电容的功率半导体器件来说非常有吸引力。与硅开关相比，GaN HEMT更适合高速开关。

英飞凌的CoolGaN™系列为种类繁多的应用系统带来了重要的价值。 这些电子模式的HEMT设备为消费者与工业应用而设计，例如服务器，数据通信，电信，适配器/充电器，无线充电和音频，巩固了市场上最稳健，高性能的概念。

在图腾柱PFC中结合LLC DC-DC阶段使用CoolGaN™能够实现 >98.5%系统效率（适用于48V 输出电压系统），让美国的数据中心每年节省总数20亿kWh的电流 (每年节省大约 3亿 美金@ 0.15 USD/kWh)。使用GaN的SMPS解决方案通过将功率密度从今天典型的~30..40 W / in3硅基础解决方案推至> 80W / in3，从而为每个机架提供更高的计算能力。

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节省运营支出（OPEX）和资本支出（CAPEX），整体电源足迹和最高稳健性的解决方案已经，并将继续成为电信基础设施发展的重点。英飞凌的CoolGaN™解决方案通过在整个操作范围内提供基准效率，在遵循英飞凌严格的认证制度的同时最大化功率密度， 从而应对这些挑战。

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英飞凌的CoolGaN™是适配器和充电器系统功率密度方面的突破，启用~20W/in3 功率密度系统（最大输出功率为65W）。此效能是由通过在半桥拓扑中应用CoolGaN™，同时增加开关频率和效率而被实践。

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启用CoolGaN™可在E类放大器中实现最佳调谐，尤其是30W以上，并且在6.78MHz无线充电中效果优于硅

• 较小并线性的输出电容即使在较低的Vds下也不会大幅增加，使得ZVS在较宽的负载电阻范围内成为可能
• 与等效硅MOSFET相比，Q_G非常低
• 5V栅极驱动，栅极驱动损耗非常低
• 坚固的器件 - 自钳位栅极代替肖特基栅极结构
• 质量和可靠性：例如没有动态R_DS(on)
• 容量和稳定供应
  
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由于英飞凌CoolGaN™的独特特性，其技术可以接近D类音频放大器的理论上理想性能，完美的匹配以下应用: 体二极管的零反向恢复电荷（Q_rr），线性输入和输出电容，以及极快的开关速度（最低Q_gd和R_g）而达到了理想的开关波行。这理想的开关波形是最大化音频性能和有效降低D类音频放大器功率损耗必须具有的条件。

CoolGaN™400V电子模式HEMT即将开发。

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