Home 产品分类 功率器件 Gallium nitride GaN HEMT – 氮化镓晶体管 GS-065-150-1-D2 GS-065-150-1-D2 650 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管可实现极好的效率和可靠性 综述 GS-065-150-1-D2 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流和高开关频率。 GS-065-150-1-D2 是一款高性能 GaN 芯片,设计用于高功率应用的电源模块,例如车载和非车载电动汽车充电器、牵引驱动、工业电源和可再生能源系统。 特征描述 增强型 HEMT – 常闭 超快开关 无反向恢复电荷 具有反向导通能力 低栅极电荷、低输出电荷 零反向恢复损耗 快速、可控的下降和上升时间 符合 RoHS 3(6+4) 标准 优势 提高系统效率 提高功率密度 减轻系统重量 实现更高的工作频率 节省系统成本 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 支持 联系