GS-065-030-2-L-MR 650 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管的迷你卷盘选项可实现极好的效率和可靠性

综述

GS-065-030-2-L-MR 是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 GS-065-030-2-L-MR 是一款采用 8x8 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现高功率服务器和数据中心电源以及工业用电源应用所需的理想功耗。

特征描述

  • 增强型 HEMT – 常闭
  • 超快开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向导通能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向强度
  • 符合JEDEC标准（JESD47、JESD22）
  • 底部冷却
  • 零反向恢复损耗
  • 源极检测焊盘可实现最佳栅极驱动
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 标准

优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 节省系统成本
  • 降低电磁干扰
支持