GS-065-004-1-L-MR 650 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管的迷你卷盘选项可实现极好效率和可靠性

综述

GS-065-004-1-L-MR 是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 GS-065-004-1-L-MR 是一款采用 5×6 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他低功耗应用所需的理想功耗。

特征描述

  • 增强型 HEMT – 常闭
  • 超快开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向导通能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向强度
  • 符合JEDEC标准（JESD47、JESD22）
  • 底部冷却
  • 零反向恢复损耗
  • 源极检测焊盘可实现最佳栅极驱动
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 标准

优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 节省系统成本
  • 降低电磁干扰
支持