IDFW80C65D1

综述

采用TO-247先进隔离型封装的650 V硅功率二极管

采用TO-247先进隔离型封装的650 V/80 A Rapid 1 硅功率二极管，为最优性价比的解决方案而打造

特征描述

  • 650V发射极控制技术
  • 关键参数不因温度而变化
  • 低正向电压（VF）
  • 低反向恢复电荷（Qrr）
  • 低反向恢复电流（Irrm）
  • 最高结温175°C
  • 2500 VRMS的隔离电压，50/60 Hz，t = 1 min
  • 100 %检验的隔离安装表面
  • 无铅引线镀层
  • RoHS认证
图表
支持