650V Rapid 1和Rapid 2二极管
综述
极速与超高速硅二极管提供无与伦比的性能
英飞凌650V Rapid 1及Rapid 2功率二极管是对600V与650V区间高功率二极管产品序列的补充,填补了碳化硅(SiC)二极管和发射极控制二极管之间的空白,是面向超快速和极快速功率二极管市场的优秀产品。全新的极速和超高速二极管系列产品为客户提供无与伦比的效率、可靠性及性价比。额外的50V确保了更高的可靠性。
- 650V Rapid 1二极管
英飞凌的Rapid 1二极管系列拥有温度特性稳定的1.35V正向电压 (VF),确保导通损耗最低并且通过软恢复的方式使EMI辐射降至最小。该器件非常适用于功率因数校正(PFC)的拓扑结构,该结构常见于家用电器,比如空调和洗衣机。 - 650V Rapid 2二极管
Rapid 2二极管系列专门针对频率介于40kHz和100kHz区间的应用设计,提供最低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),最大限度地缩短导致功率开关导通损耗的反向导通时间,从而使效率达到最高。
产品
亮点
通用阴极及电极Rapid 1及Rapid 2二极管
快速二极管采用超薄晶圆技术,从而实现非常低的温度稳定正向电压。如今,该器件采用TO-247和TO-220封装的共阴极和双通道配置。 通用阴极配置可达80A / 650V,双通道可达75A / 650V,实现更小尺寸的设计优化,组装更简单,同时成本更低。
常见的阴极二极管拓扑: | |
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视频
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