IDYH50G200C5 采用TO-247 PLUS-4 HCC封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管

综述

采用TO-247 PLUS-4 HCC封装的第五代 2000 V，50 A CoolSiC™肖特基二极管，适用于电压高达1500 VDC的直流母线系统，可实现更高效率和简化设计。新TO-247 PLUS-4 HCC封装拥有14 mm爬电距离和5.4 mm电气间隙，在恶劣环境下可实现超高安全性。

该二极管具有源自于.XT互连技术的一流热性能，还具有很强的耐潮性能。该二极管是2000 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的理想搭档。

特征描述

  • VRRM = 2000 V
  • IF = 50 A
  • VF = 1.5 V
  • 无反向恢复电流
  • 无正向恢复
  • 高浪涌电流耐受能力
  • 开关特性不受温度影响
  • 低正向电压
  • 紧密的正向电压分布
  • 明确的 dv/dt能力
  • .XT互连技术

优势

  • 适用于电压高达1500 VDC的直流母线系统
  • 降低导通损耗
  • 无反向恢复电流
  • 器件数量减半，而功率密度提高
  • 简化拓扑结构
  • 提升可靠性
图表
支持