IDWD10G200C5 采用TO-247-2封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管

综述

第五代2000 V, 10 A CoolSiC™肖特基二极管采用TO-247-2封装,可在高达1500 VDC的高直流母线系统设计中，实现更高的效率，并简化设计过程。得益于.XT互连技术，该二极管具备优异的热性能，并在HV-H3TRB可靠性测试中，表现出强大的防潮可靠性。该二极管无反向恢复电流，亦无正向恢复，并且具有低正向电压，显著提升系统性能。

该二极管与英飞凌2000 V CoolSiC™ MOSFET 产品组合理想匹配。

特征描述

  • VRRM = 2000 V
  • IF = 10 A
  • VF = 1.5 V
  • 无反向恢复电流
  • 无正向恢复
  • 高浪涌电流能力
  • 低正向电压
  • 紧凑的正向电压分布
  • dv/dt坚固性
  • .XT互连技术

优势

  • 高功率密度
  • 匹配的MOSFET可用
  • 简化拓扑结构
图表
支持