IDH04G65C6
综述
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。
特征描述
- 极低的 VF:1.25V
- 同类产品中极其优秀的品质因数 (Qc x VF)
- 无反向恢复电荷
- 与温度无关的开关行为
- 高 dv/dt 稳定性
- 优化热性能
优势
- 提高各种负载条件下的配置总线效率
- 增加系统功率密度
- 降低冷却要求,提高系统可靠性
- 支持超快速开关轻松有效匹配 CoolMOS™ 7 系列产品
- 优秀的性价比
潜在应用
视频
支持