CoolSiC™ Schottky Diode 650V G5 and G6

综述

提高的效率和性价比

英飞凌的 CoolSiC™ 肖特基二极管 650V 利用先进的碳化硅生产设备、坚实的业绩记录、超高的质量以及非常细化完善的 G5 / G6组合，为市场带来了较为优异的性价比和客户价值。

产品
亮点

新产品！CoolSiC™肖特基二极管 650V G6

CoolSiC™肖特基二极管 650V G6 是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了碳化硅在硅上的所有优势。英飞凌专有的创新焊接工艺结合了更紧凑的设计、薄晶圆技术和新颖的肖特基金属系统。结果是产品系列在所有负载条件下均具有更高的效率，这得益于同类中较为优异的的品质因数（Qc x VF）。CoolSiC™G6 二极管是英飞凌 600V 和 650V CoolMOS™ 7 系列的补充，能够满足该电压范围内非常严格的应用要求。

关键特性

  • 低VF：1.25V
  • 同类中较为优异的品质因数 (QC x VF)
  • 无反向恢复电荷
  • 温度无关开关行为
  • 高 dv / dt 坚固性
  • 优化的热性能

优势

  • 所有负载条件下的系统效率都得到了提高
  • 增加系统功率密度
  • 冷却要求降低，系统可靠性提高
  • 实现极速切换
  • 轻松与 CoolMOS™7 系列有效匹配
  • 高性价比

应用

  • 电信/服务器 SMPS
  • 太阳能
  • PC电源
  • 照明

CoolSiC™肖特基二极管 650V G5

特性

  • VBR为650V
  • 改进的品质因数(Q c x V F)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 温度无关开关行为
  • 高操作温度 (T Jmax175° C)
  • 改进的浪涌能力
  • 无铅电镀铅

优势

  • 完美匹配超结设备，例如 CoolMOS™
  • 所有负载条件下的效率都得到了提高
  • 与硅二极管替代品相比，效率得到提高
  • 降低 EMI
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 通过 RoHS 认证
  • 超高的质量和高容量制造能力

应用

您可能对此也感兴趣

推荐文档

Button-Infineon-PowerandSensing-SG
仿真工具
CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 - for unparalleled efficiency and price performance

The latest most price-performance generation of Infineon CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 offers the best efficiency per dollar.

Infineon presents in this video its portfolio of Best-in-Class fast-switching IGBT discretes, CoolSiC™ Schottky diodes 650 V G5 and CoolMOS™, for automotive on-board charger applications. More information: https://www.infineon.com/onboard-battery-charger/

製品ポートフォリオの紹介

薄型ウェハ、効率、ポートフォリオ

Introduction

Product portfolio and target application

Key features - reduction of forward voltage

CoolMOS™ double DPAK demonstration as displayed at PCIM 2018 in Nuernberg

培训
支持