CoolSiC™ Schottky Diode 650V G5 and G6
提高的效率和性价比
英飞凌的 CoolSiC™ 肖特基二极管 650V 利用先进的碳化硅生产设备、坚实的业绩记录、超高的质量以及非常细化完善的 G5 / G6组合,为市场带来了较为优异的性价比和客户价值。
新产品!CoolSiC™肖特基二极管 650V G6

CoolSiC™肖特基二极管 650V G6 是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术,充分利用了碳化硅在硅上的所有优势。英飞凌专有的创新焊接工艺结合了更紧凑的设计、薄晶圆技术和新颖的肖特基金属系统。结果是产品系列在所有负载条件下均具有更高的效率,这得益于同类中较为优异的的品质因数(Qc x VF)。CoolSiC™G6 二极管是英飞凌 600V 和 650V CoolMOS™ 7 系列的补充,能够满足该电压范围内非常严格的应用要求。
CoolSiC™肖特基二极管 650V G5

The latest most price-performance generation of Infineon CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 offers the best efficiency per dollar.
Infineon presents in this video its portfolio of Best-in-Class fast-switching IGBT discretes, CoolSiC™ Schottky diodes 650 V G5 and CoolMOS™, for automotive on-board charger applications. More information: https://www.infineon.com/onboard-battery-charger/
製品ポートフォリオの紹介
薄型ウェハ、効率、ポートフォリオ
Introduction
Product portfolio and target application
Key features - reduction of forward voltage
CoolMOS™ double DPAK demonstration as displayed at PCIM 2018 in Nuernberg