CHL8510

综述

具有可变栅极驱动的 12V 高效 MOSFET 驱动器

优势

  • 高边和低边 MSFET 均采用同步降压配置
  • 用于驱动 6nF 服务器级 FET 的大驱动器
  • 低边驱动器——4 A 拉电流/  6 A 灌电流
  • 高边驱动器——3 A 拉电流/  4 A 灌电流
  • 转换时间和传播延迟小于 20 纳秒
  • 高边和低边驱动器的独立可变栅极电压(4.5V 至 13.2V)
  • 提升效率
  • 兼容 CHiL 控制器 VGD 功能
  • 集成自举二极管
  • 外部元件数量减少
  • 可实现 200kHz 到 1Mhz 以上的高开关频率
  • 可配置 PWM 工作模式
  • CHiL 主动三电平(ATL), 在 30 纳秒内禁用两个 MOSFET，无暂停时间
  • 具有触发释抑的通用三态 PWM
  • 自适应非重叠保护，最大限度地减少二极管导通时间

潜在应用

  • 台式机和工作站
  • 图形板
  • 多相
  • 服务器和存储
视频
支持