CHL8510
综述
具有可变栅极驱动的 12V 高效 MOSFET 驱动器
优势
- 高边和低边 MSFET 均采用同步降压配置
- 用于驱动 6nF 服务器级 FET 的大驱动器
- 低边驱动器——4 A 拉电流/ 6 A 灌电流
- 高边驱动器——3 A 拉电流/ 4 A 灌电流
- 转换时间和传播延迟小于 20 纳秒
- 高边和低边驱动器的独立可变栅极电压(4.5V 至 13.2V)
- 提升效率
- 兼容 CHiL 控制器 VGD 功能
- 集成自举二极管
- 外部元件数量减少
- 可实现 200kHz 到 1Mhz 以上的高开关频率
- 可配置 PWM 工作模式
- CHiL 主动三电平(ATL), 在 30 纳秒内禁用两个 MOSFET，无暂停时间
- 具有触发释抑的通用三态 PWM
- 自适应非重叠保护，最大限度地减少二极管导通时间
潜在应用
- 台式机和工作站
- 图形板
- 多相
- 服务器和存储
软件和工具
视频
支持
