TDA21590

综述

高效率 OptiMOS™ 90A， 集成内部电流检测的功率级

TDA21590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，与控制和同步 MOSFET 以及一个有源二极管结构共同封装，实现了类似于肖特基的低 VDS，而且反向恢复电荷非常少。该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序进行了优化，并在遵循布局指南的情况下将开关节点振铃降至最低。成对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿的 CPU、GPU 和 DDR 存储器设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 检测方法相比，内部 MOSFET 检测实现了优越的电流检测精度。

保护措施包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护 (OCP)、控制 MOSFET 短路检测（HSS——高侧短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21590 还具有自举电容的“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达 1.5 Mhz 的开关频率可实现高性能瞬态响应，从而实现输出电感、输入和输出电容的小型化，同时保持业界领先的效率。

特征描述

  • 集成驱动器、有源二极管、控制 MOSFET Q1 和同步 MOSFET Q2
  • 片上 MOSFET 电流检测(+/-3%Imon 精度范围）
  • 输入电压（VIN）范围为 4.25 V - 16 V
  • 输出电流能力为 90A (120A OCP)
  • 增强型故障报告和识别
  • 过热保护和热关断
  • 自举电容自动补充
  • 兼容 3.3V 三态 PWM 输入
  • DEEP SLEEP 模式，通过 EN=低电平（32μA 典型值）实现省电效果
  • 小型 5 mm x 6 mm x 0.9 mm PQFN 封装

优势

  • 电流效率高
  • 业界最佳电流检测精度
  • 增强故障识别和报告
  • 先进的保护功能，如高侧 MOSFET 故障检测、过热和热关断
  • 通过 EN=低电平，实现低静态的省电效果

潜在应用

  • 高频率、小尺寸 DC-DC 转换器
  • 用于 CPU、GPU 和 DDR 存储器阵列的电压调节器
  • 电信控制和非控制
支持