TDA21590
综述
高效率 OptiMOS™ 90A, 集成内部电流检测的功率级
TDA21590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC,与控制和同步 MOSFET 以及一个有源二极管结构共同封装,实现了类似于肖特基的低 VDS,而且反向恢复电荷非常少。该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序进行了优化,并在遵循布局指南的情况下将开关节点振铃降至最低。成对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿的 CPU、GPU 和 DDR 存储器设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 检测方法相比,内部 MOSFET 检测实现了优越的电流检测精度。
保护措施包括 IC 温度报告和过温保护功能(带热关断的 OTP)、逐周期过流保护 (OCP)、控制 MOSFET 短路检测(HSS——高侧短路检测)、VDRV 和自举欠压保护。TDA21590 还具有自举电容的“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。高达 1.5 Mhz 的开关频率可实现高性能瞬态响应,从而实现输出电感、输入和输出电容的小型化,同时保持业界领先的效率。
特征描述
- 集成驱动器、有源二极管、控制 MOSFET Q1 和同步 MOSFET Q2
- 片上 MOSFET 电流检测(+/-3%Imon 精度范围)
- 输入电压(VIN)范围为 4.25 V - 16 V
- 输出电流能力为 90A (120A OCP)
- 增强型故障报告和识别
- 过热保护和热关断
- 自举电容自动补充
- 兼容 3.3V 三态 PWM 输入
- DEEP SLEEP 模式,通过 EN=低电平(32μA 典型值)实现省电效果
- 小型 5 mm x 6 mm x 0.9 mm PQFN 封装
优势
- 电流效率高
- 业界最佳电流检测精度
- 增强故障识别和报告
- 先进的保护功能,如高侧 MOSFET 故障检测、过热和热关断
- 通过 EN=低电平,实现低静态的省电效果
潜在应用
支持