TDA21241

综述

极小的尺寸架构 ，极高的效率

DrMOS 4.0 x 4.0 x1.0mm³提供同类中较为出色的效率和极低的功率损耗。英飞凌通过将其最新一代的25V OptiMOS™5 MOSFET技术与其经过验证的MOSFET驱动器芯片相结合，可以展现这些优势。在更高的开关频率下，开关损耗的显着降低可实现出色的效率。将更高的开关频率运行与极小的封装相结合，系统设计人员能够节省电路板空间并仍能提供出色的性能。

特征描述

  • 小型4.0 x 4.0 x 1.0mm³ PQFN 封装
  • 在高开关频率 (> 500kHz)下，快速开关技术可改善性能
  • 推荐输入电压为4.5V 至 16V
  • 欠压锁定>击穿保护
  • 经过优化的5V驱动电压
  • 兼容标准 3.3V PWM

 

优势

  • 峰值效率> 94%
  • 集成自举二极管（无需外部二极管）
  • 热警告
  • 远程驱动禁用功能

潜在应用

  • 笔记本，台式机和服务器VR降压转换器
  • 单相和多相 POL
  • 笔记本电脑、台式机显卡中的 CPU/GPU 调节器
视频
支持