CY7C1041G30-10ZSXI High-Performance 4 Mbit FAST SRAM with Parallel Interface and Industrial Qualification
综述
CY7C1041G30-10ZSXI是一款适用于工业应用的高性能4 Mbit CMOS快速静态RAM,具有嵌入式ECC。其密度为4 Mbit,提供并行接口,工作速度为10 ns。这款FAST SRAM在-40°C至85°C的宽温范围内运行,工作电压范围为2.2V至3.6V。该器件提供单片使能选项和多种引脚配置,其引线球釉面为Ni/Pd/Au。此外,它的组织结构为256K x 16,并包括一个ERR引脚,在读取周期期间信号化错误检测和更正事件。总的来说,CY7C1041G30-10ZSXI为工业应用提供了高密度、高速和可靠的操作。
特征描述
- 高速
- 用于单比特错误纠正的嵌入式纠错码 (ECC)
- 活动模式和待机模式低电流
- 工作电压范围: 2.2V to 3.6V
- 1.0 V 数据保持
- TTL — 各兼容输入和输出
- 错误指示 (ERR)引脚用于表示单位错误的检测和纠正
- 无铅 44-SOJ、 44-TSOP II 和 48-VFBGA 封装
支持