高性能页模式
64 Mb — 2 Gb 3.0 V 高性能页模式
英飞凌的GL Parallel NOR闪存系列拥有英飞凌所有并行系列中最高的性能、可靠性、寿命和可扩展性。最新的 GL-T 和 GL-S 系列提供内置 ECC、汽车认证、扩展温度支持和长期供电。
GL-P、GL-S (64 Mb) 和 GL-T 系列具有 x8 和 x16 数据总线选项。其他 GL-S 设备使用 x16 数据总线。
英飞凌的闪存产品长期供货计划延长了我们最受欢迎的存储器产品的可用性，使其适用于长期平台。典型的供货寿命为自生产发布之日起十多年。通过选择该计划所涵盖的NOR 闪存产品，您可以高枕无忧，并从关键存储器设备的稳健供应链中受益。
英飞凌专有的MIRRORBIT™技术是世界上最先进的NOR闪存工艺技术，是高密度器件的最佳选择。它每单元可存储两位数据，是英飞凌各种并行和串行 NOR 闪存产品的基础。
英飞凌的 GL-S 和 GL-T Parallel NOR 闪存产品已通过 AEC-Q100 认证，适用于汽车市场，可承受高达 105°C 的温度，使其能够承受恶劣的环境。高密度和高温的并行 NOR 设备支持 ADAS、底盘、传动系统和信息娱乐系统。英飞凌还为符合 AEC-Q100 标准的产品提供生产部件批准流程 (PPAP) 支持。
页模式允许对每页中的位置进行高速随机读取。由于字存储在内部缓冲区中，因此可以缩短第一个字的初始访问时间之后的访问时间。页模式为频繁访问页的系统提供了更快的速度和更低的功耗。
英飞凌为需要存储器的定制系统级封装 (SiP) 和多芯片封装 (MCP) 解决方案提供高性能和可靠的已知合格的晶粒&晶圆 (KGD/KGW) 产品。我们通过以下方式提供具有与封装零件相同的性能和可靠性的晶圆和晶粒产品：
- 遵守严格的 EIAJ EDR-4703 标准和要求
- 对视觉和机械缺陷进行广泛的检查和晶圆级测试，包括额外的高温筛查
- 长期供货计划和区域支持
因此，我们的客户受益于减少的 SiP 制造良率损失和减少与内存相关的产品可靠性问题。
并行 NOR 闪存领域的市场领导者
英飞凌提供业界最齐全的并行 NOR 闪存产品。我们以四十多年半导体存储器创新的传统为基础，提供基于浮栅和专有 MIRRORBIT™ 技术的广泛可靠、高性能和 JEDEC 兼容产品组合。我们的长期供货计划可延长供应的持续性（长达10年），这使英飞凌成为最值得信赖的并行NOR闪存解决方案供应商。凭借丰富的生态系统，我们的客户可以加快其设计周期和上市时间。
| Company |
Parallel NOR |
SPI NOR |
HyperFlash |
Semper |
Semper |
Semper |
|||
| S29GL-S |
S29GL-T |
S25FL-S |
S25FS-S |
S25FL-L |
S26KL-S |
S25HL-T |
S28HL-T |
S26HL-T |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
|
|
|
Y |
Y |
Y |
|
|
|
|
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
|
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
Y |
Y |
Y |
|
| Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
Y |
|
