CY15B104QSN-108SXI 4Mb 3.0V Industrial 108MHz QSPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC

Excelon-Ultra CY15B104QSN-108SXI 采用了高级铁电工艺的高性能4 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 （即 F-RAM）与 RAM 相 同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供 151 年的可靠数 据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的 复杂性、开销和系统级可靠性的问题。 与串行闪存不同的是， CY15x104QSN 以总线速度执行写操作。 并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据 立即被写入到存储器阵列内。这时，可以开始执行下一个总线周 期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存储器相比，该产 品提供了更多的擦写次数。 CY15B104QSN-108SXI能够提供 1014 次的 读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有 这些特性，因此 CY15B104QSN-108SXI 非常适用于需要频繁或快速写操 作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写 周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行 Flash 的 较长写时间会使数据丢失）。