CY15B104Q-SXI 具有工业认证和广泛工作范围的高密度4 Mbit SPI F-RAM
综述
CY15B104Q-SXI是一款使用先进铁电工艺的4兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是一种非易失性存储器,类似于RAM进行读写操作。它提供可靠的数据保留长达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,CY15B104Q-SXI以总线速度执行写操作。不会出现写入延迟。在每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以在无需数据轮询的情况下开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有相当大的写入耐久性。CY15B104Q-SXI能够支持1014次读/写周期,比EEPROM多100倍。
特征描述
- 4 Mbit 铁电性随机存取存储器 (F-RAM)的逻辑组织方式为 512 K x 8
- 高耐久性:100 万亿 (1014)次写 / 读
- 151 年的数据保留时间
- NoDelay™ 写操作
- 可靠性较高的高级铁电工艺
- 高速串行外设接口 (SPI)
- 精密的写入保护方案
- 制造商 ID 和产品 ID
- 低功耗
- 低电压操作:VDD = 2.0 V 到 3.6 V
- 工业级温度范围:–40 °C 到 +85 °C
支持