F-RAM（铁电RAM）
高度可靠、低功耗的数据记录存储器，具有几乎无限的耐用性
F-RAM（铁电RAM） 子类别
铁电存储器 (FRAM) 是一种独立式非易失性存储器，利用它，您可以在供电中断时即时捕获并保存关键数据。对于要求高度可靠的控制和高吞吐量的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或者帮助改善患者生活质量的监测设备等至关重要的数据记录应用，它们是理想之选。铁电存储器 (F-RAM) 采用外形小巧的低功耗设计，可提供即时非易失性存储和近乎无限的耐久性，同时保持出色的速度和能效。
密度：4Kb、16Kb、64Kb、128Kb、256Kb、512Kb、1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb
接口：I2C、SPI、QSPI、并行（X8、X16）
- NoDelay™ Write – 以总线速度向存储单元写入数据，没有预备时间
- 经久耐用 – 比浮栅存储器更耐久，可实现超过100万亿个写入周期
- 超低功耗 – 能耗仅为EEPROM的200分之一，NOR闪存的3 000分之一
- 耐辐射 – 不会因辐射造成软错误而导致位反转e bit flips
英飞凌提供规格齐全的串行和并行非易失性铁电存储器 (F-RAM) 产品系列。我们可提供规格从4k到4Mb不等的标准F-RAM产品。 Excelon™是英飞凌推出的新一代铁电存储器 (FRAM)。Excelon™ F-RAM 堪称行业最低功耗非易失性存储器，它兼具超低功耗操作、高速接口、即时非易失性存储和无限读写周期耐久性，因而是适用于便携式医疗设备、可穿戴设备、物联网传感器、工业和汽车应用等的理想的数据记录存储器。可提供的规格从2 Mb到16 Mb不等，工作电压在1.71V到1.89V之间，也有1.8V至3.6V的宽电压版本。
进一步了解我们的高密度 Excelon™铁电存储器 (FRAM)。
铁电存储器 (F-RAM) 基于铁电技术。F-RAM芯片含有以锆钛酸铅 (俗称PZT) 制备的铁电薄膜。PZT中的原子在电场中改变极性，从而产生一个低功耗的二进制开关。不过，PZT材料最重要的特点是它不受供电中断的影响，这使得F-RAM成为可靠的非易失性存储器。铁电存储器 (F-RAM) 的底层工作原理及其独特的存储单元架构，赋予它独具一格的优势，使它在与EEPROM和NOR闪存等存储技术的竞争中脱颖而出。
铁电存储器 (F-RAM) 产品当属行业最低功耗的非易失性存储器解决方案之列，其消耗的有效电流远低于EEPROM和MRAM等竞争性解决方案。得益于此， F-RAM适用于以电池为电源的设备，如可穿戴设备和医疗植入设备。近乎无限的耐久性和即时非易失性存储特性确保F-RAM在多款数据记录应用中的性能表现优于现有的存储器，如EEPROM和NOR闪存。
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