REF_PS_SIC_DP1

综述

TO-247 3/4脚封装CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台的米勒钳位功能驱动子板

本参考板是CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台的第一个驱动子板，包含EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC20I12MH，集成有源米勒钳位，防止寄生导通。第二个驱动子板包含EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC60H12AH，支持双电源供电，其中VCC2为+15 V、GND2为负值。

CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台包含EiceDRIVER™栅极驱动IC，专为TO247 3脚和4脚封装碳化硅CoolSiC™ MOSFET的驱动而开发。其设计分为一个主板和目前的两个驱动子板。选择模块化方法是为将来可以通过新的驱动子板对平台进行扩展。主板设计的最大电压为800 V，最大脉冲电流为130 A。计划推出更多支持不同驱动IC和CoolSiC™ MOSFET的驱动子板。

特征描述

  • VCC2栅极驱动供电电压从-5 V到+20 V
  • VCC1供电电压固定在+5 V
  • 通过SMA-BNC连接器进行栅极连接
  • 通过可选的同轴分流器进行电流测量
  • 经优化的换向回路
  • 外部负载电感器连接
  • 散热器设计支持在不同温度下进行测试

优势

  • 客户可以在设计时参考驱动子板布局
  • 可以对所有TO-247 3脚和4脚封装进行基准测试（独立于基础材料工艺或制造商）
  • 主板的模块化方法便于将来对平台进行扩展
图表
支持