EVAL-1ED020I12F2-DB
综述
利用1ED020I12-F2评估1200 V CoolSiC™ MOSFET的隔离栅极驱动器子板
EVAL-1ED020I12F2-DB 是第二版CoolSiC™评估平台的一员,它采用高边/低边配置,带有两个栅极驱动IC(1ED020I12-F2)。该平台旨在展示采用 TO247 3脚或4脚封装的CoolSiC™ MOSFET 或其他功率器件(如IGBT和MOSFET)的最佳驱动。为了实现这一目标,它被设计为两块板,即一块主板EVAL-PS-DP-MAIN和一块子板EVAL-1ED020I12F2-DB。由于采用了模块化的方法,未来它可通过增加栅极驱动器卡来对平台进行扩展。开关器件可自由选择。
EVAL-1ED020I12F2-DB包含EiceDRIVER™增强型隔离驱动器1ED020I12-F2,集成有源米勒钳位,可防止寄生导通,它具有DESAT功能,可防止短路造成的损坏,它最适合用于双脉冲测试和评估。
特征描述
- 单通道隔离栅极驱动器IC(1ED-F2)
- 适用于 600 V/1200 V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 单管和模块
- 2 A 轨到轨典型输出电流
- 精确的 DESAT 保护、VCEsat 检测
- 有源米勒钳位
- 掉电保护和短路钳位
- 28 V 绝对最大值输出电源电压
- 170/165 ns 典型传输延迟
- 12/11 V 输出 UVLO
- ≥ 100 kV/µs CMTI
优势
- 严格的传输延迟匹配:容差提高了应用稳健性,不会因老化、电流和温度而发生波动
- 精确的集成滤波器可减少各种工作条件下的传输延迟波动,并减少对外部滤波器的需求
- 低传输延迟可最大程度缩短死区时间,提高系统效率并减少谐波失真
- 采用爬电距离达 8mm 的宽体封装
- 抗正负瞬变,提高最终产品的可靠性
- 低功率损耗,使开关频率进入MHz 范围
图表
支持


