适配器和充电器

USB 供电（USD-PD）是一个通用标准，可用于为任何具有USB-C端口的设备充电或供电，包括那些具有较高额定功率的设备，如硬盘驱动器、打印机、笔记本电脑和具有大电池容量的智能手机。USB-PD充电器和适配器可以按需供电，因此可用于为多种设备供电。供电端和接电端通过USB-PD协议进行通信，由接电端定义所需的功率。充电电压和电流由电源、USB-PD充电器或电源适配器进行相应调整。

英飞凌独具创新的CoolGaN^TM技术为功率晶体管确立了新标准。CoolGaN^TM产品采用氮化镓（GaN）晶体管而非硅晶体管。与硅基MOSFET相比，氮化镓（GaN）晶体管更高的临界电场能够实现出色的特定动态导通电阻和更小的电容，因此，GaN HEMT非常适用于高速开关应用。氮化镓（GaN）晶体管可以在缩短死区时间的情况下运行，从而获得更高的效率和更好的散热效果。在高开关频率下运行，可以缩小无源元件的体积，提高整体功率密度。氮化镓（GaN）技术可助力实现更小巧、更轻便的充电器和适配器。

双端口充电器 IC 根据连接到端口的系统控制并决定每个端口需要多少功率。

两个 USB-C 端口之间共享信息，通力协作，以确定需要多少功率。只要连接了一个端口，另一个未连接，那么连接的端口将提供全部功率。但是，当有接收器连接到第二个端口时，第一个端口将减少它向接收器输出的功率的一半。然后两个端口各输出一半的功率或根据连接的系统均衡功率。

英飞凌 USB-PD 控制器的先进功能为您带来更简洁的系统，助您提高效率同时降低物料成本。

随着移动设备对小型充电器需求的增长，制造商面临着一系列新的挑战。例如，他们需要更好的热性能和更高效率的产品解决方案，以及适于无需人工加工的大批量生产的设计

为了满足移动设备充电器的需求，英飞凌提供各种可靠且高效的高压和低压 MOSFET 产品供选择。英飞凌创新的新型 ThinPAK 5x6 产品甚至可以实现全自动化生产，成为大批量生产的理想选择。创新的 CoolGaN™ 技术通过实现约 20W/in3 的功率密度系统（最大输出功率为 65W），大大提高了适配器和充电器系统的功率密度。例如，通过在半桥拓扑中应用英飞凌的 CoolGaN™ 技术，您的产品设计将获益于增强的开关频率和工作效率。

请安心了解我们可以为您提供大量产品，让您享受卓越的英飞凌品质，英飞凌是您的移动设备项目充电器产品的不二选择。

随着笔记本电脑变得越来越轻薄和时尚，消费者也渴望有一个与之相匹配的轻薄、时尚的笔记本充电器。然而要想成功制造更轻薄的充电器，需要小尺寸封装的 MOSFET，并且具有良好的电磁干扰 (EMI) 和优异的热性能。

来到英飞凌，就能精确找到您所需的产品：可靠且高质量的高压和低压 MOSFET。这款产品能够满足如今您对尺寸和重量的要求，非常适用于生产笔记本电脑充电器和适配器，英飞凌拥有广泛的 MOSFET，控制器 IC 和创新的 CoolGaN™ 新产品组合系列，是一个可以满足您对笔记本电源充电器所有需求的供应商。此外，与笔记本电脑制造商数十年的合作帮助我们获得丰富的专业知识，值得您信赖。

集成到英飞凌 USB 充电器 IC 中的安全固件升级解决方案允许通过内置功能设置来升级设备。使用升级的固件版本可以更新您的产品，添加新功能，并更正潜在问题。整个升级过程受到安全控制和监控，以防止未经授权的更新和对设备机密数据的访问。

基于 CCG7D/2xCCG3PA 的双端口充电器的安全固件升级的特征：

• 安全固件 (FW) 验证采用 RoTPK
• RoTPK 是可信根的公钥
• 公钥存储在写保护的 Flash 区域
• 加密算法验证
• 数字签名算法：RSA-2048
• 哈希算法：SHA-256
• 固件通过 I2C 接口或 CC 接口完成升级
• 启动引导程序执行已签名固件升级
• RoTPK 和启动引导程序保存在Flash芯片
• 固件只接受与 RoTPK 对应的私钥签名

USB-C 不必配备 USB 电源。但是 USB 功率传输可以增加功率。因此， USB2.0 和 3.1 可以提供 500 到 900 毫安的电流。BC1.2 可以提供 1.5 安培的电流。还有一些专有技术能够帮您进一步提高功率。USB-C 同样能为您提供 1.5 安培电流，实现与 BC1.2 相同的效果，而且您可以一直使用高达 15 瓦的功率，这是以前 USB 功率的两倍。只有 USB-C 型能做到这一点。

然而由于电压可以增加到，譬如说 20 伏，USB 电源传输可以使功率高达 100 瓦。同时电流可以增加到 5 安培。

为了减少 USB-PD 设计中的损耗，请查阅用于 USB-PD 充电器的 GaN 产品完整解决方案。