通用电机驱动-变频变压

综述

通过在几百瓦到几兆瓦的功率范围内改变信号的频率和电压来控制电机的速度。

通用驱动器可以通过改变电机信号的频率和电压来控制电机的速度。一般用途的驱动装置用于诸如泵和风扇、过程自动化或起重机等应用中，其功率范围从几百瓦到几兆瓦不等。通过改变电机信号的频率和电压，通用驱动器可以控制电机的速度。一般用途的驱动器用于诸如泵和风扇、过程自动化或起重机等应用中，功率范围从几百瓦到几兆瓦不等。

我们提供的产品结合了卓越的性能和可靠性，除了具有竞争力的性价比，还确保您的电机系统的安全。我们为您提供针对电机变频器优化的丰富高效的半导体产品系列。您可以依靠我们的智能功率模块（IPM）和分立器件，实现低功率范围的智能化设计。对于中等功率驱动，我们的模块EasyPIM™ 和 EconoPIM™可以实现完美搭配。对于高功率驱动，EconoDUAL™ 和PrimePACK™是可选的解决方案。结合创新的.XT互连技术，PrimePACK™ 模块可以通过提高热循环和功率循环能力延长使用寿命，从而帮助设计者克服高估难题。

产品

我们产品组合的亮点包括专门为满足驱动应用需求设计的TRENCHSTOP™ IGBT7 模块。TRENCHSTOP™ IGBT7模块采用各种经过检验的封装，提高了功率密度、可控性和过载能力，从而节省成本和时间，是通用驱动（GPD）应用的理想选择。对于高速驱动器和逆变器集成，我们的 CoolSiC™ MOSFETs是颇具吸引力的解决方案，因为它们减少了开关和传导损耗，尤其在部分负载的条件下更是如此。

除了我们的功率半导体外，我们还为所有硅和碳化硅（SiC）元器件提供栅极驱动IC。我们丰富的EiceDRIVER™ portfolio 产品组合可从基本功能扩展到高级功能。EiceDRIVER™ X3增强型隔离栅极驱动器组合目前包括X3模拟1ED34xx系列和X3数字1ED38xx系列，具有DESAT、Miller钳位、软关闭和I2C可配置性。为了完善该系列产品，辅助您的设计为工业 4.0 做好准备，我们提供XMC™、 AURIX™，以及PSoC62, PSoC64系列的微控制器，并辅以满足最高安全标准的解决方案 OPTIGA™ Trust solutions，以支持不断增长的连接需求。这些设备可以与我们XENSIV™产品系列的传感器结合使用为您的设计带来更多的感官智能，并实现预知性维护等创新功能。我们的一系列外部存储器 解决方案支持高级计算以实现预知性维护。

产品亮点

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 -高功率密度和优化的开关性能

使用新型微模式沟槽技术，1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和EC7二极管能够以极低的损耗达到高水平的可控性。
该产品专门针对工业驱动应用进行了优化，可以降低静态损耗，提高功率密度，并使开关更为柔和。

进一步了解TRENCHSTOP™ IGBT7

EconoDUAL™ 3（半桥，中等功率应用）

EconoDUAL™ 3模块现在可与最新的TRENCHSTOP™ IGBT7代一起使用，将1200 V电源组合从600 A扩展到900 A。900 A的 1200 V EconoDUAL™ 模块改进了封装技术，可在相同的占板空间内承受更高的电流和温度。与TRENCHSTOP™ IGBT7技术相结合，它可以显著地降低损耗，具有高水平的可控性和开关柔软性，以及高短路能力。通过将功率模块过载时允许的最高工作温度提高至 175℃，实现了高效率和高功率密度，从而简化系统，降低成本。

进一步了解EconoDUAL™ 3

EiceDRIVER™ X3 -紧凑增强型系列产品

EiceDRIVER™ 紧凑型隔离栅极驱动器芯片系列现在包括X3紧凑型1ED31xx产品，带有米勒钳位或独立输出功能。特别建议将有源米勒钳位功能用于SiC MOSFET 0 V关断。产品具有高达 14 A 的输出电流，超过 200 kV/µs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，7 ns 最大传输延迟匹配，以及 40 V 最大输出电源电压。集成过滤器减少了对外部过滤器的需求。

EiceDRIVER™ X3 增强型隔离栅极驱动器产品组合目前包括X3模拟1ED34xx系列和X3数字1ED38xx系列，具有DESAT、米勒钳位、软关闭和I2C可配置性。这个高度灵活的栅极驱动器产品系列提供了广泛的功能和监控选项，从而支持各种创新应用，譬如预测性维护等。

进一步了解 EiceDRIVER™ 栅极驱动器

NOR 闪存

NOR Flash 具有快速的随机读取性能，是嵌入式系统中存储代码的理想存储器。
此性能还支持XIP（就地执行）功能，该功能允许主机控制器直接从NOR闪存执行代码，而无需将代码先复制到RAM。更高级别的串行NOR储存器性能使XIP能够在多种应用程序中进行各种设计。

进一步了解 NOR 闪存存储器

持久耐用的存储器

非易失性RAM产品，如F-RAM 和 nvSRAM，将非易失性数据存储与RAM的高性能结合起来。这些符合RoHS标准的存储器经久耐用，在85°C 温度下数据可保持10年以上，具有即时的非易失性而无需外部备用电池，从而实现系统可靠性和降低成本。

单片上ECC的MoBL®Asynchronous SRAMs适用于要求最高可靠性和性能标准的工业系统。在电池支持系统中，8Mbit SRAM的最佳待机电流为6.5µA（85°C时），这些SRAM因此延长了电池寿命。再加上小于0.1 FIT/Mb的软错误率，这些超低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）适用于各种应用。

进一步了解持久耐用的RAM 存储器

评估板

软件和工具

仿真工具

仿真

IPOSIM

英飞凌功率模块和磁盘设备损耗和热计算的在线功率仿真程序。

分立式 IGBT 电机驱动仿真装置

在给定的静态负载条件下，采用三相电机驱动逆变器系统来仿真各个器件的功率损耗和结温。

IPM 三相变频仿真装置

采用三相电机驱动变频系统来仿真，给定静态负载条件下 IPM 内部各器件的功耗和结温。

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亮点

网络研讨会：CoolSiC™-伺服驱动器的完美解决方案

碳化硅MOSFET是伺服驱动器的完美匹配？没错！这个特别的网络研讨会揭示了为什么要比较IGBT和SiC MOSFET的性能水平，并解释了使用英飞凌的.XT互连技术的好处。

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应用介绍：我们推动驱动器的效率发展 - 利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。

我们推动驱动器的效率发展。利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。网络研讨会所示的整套幻灯片也可供下载，您可在单个PDF文件中查看所有重要概述。

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白皮书：工业驱动不断变化的面貌 - 英飞凌专业知识助您设计最佳驱动系统

仅仅为了满足期望的应用寿命，而对工业应用的电动机进行过高估计，并承担增加能源成本的日子已经过去。白皮书回顾了目前可用的一些技术，这些技术可为低压和机器人应用带来更高效率。

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视频

带有Easy3B IGBT7和XENSIV™电流传感器的GPD参考板

REF_22k_GPD-INV_Easy3B GPD参考设计套件采用英飞凌最新技术，提供业界最佳性能。电源模块是新的Easy3B FP100R12W3T7_B11，采用PIM配置中最新的TRENCHSTOP™ IGBT7技术。为了增强对IGBT7的控制，使用了具有低电感损耗的电隔离单通道栅极驱动器1ED3131MC12H，使效率进一步提高0.5%。