低压驱动

综述

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低压驱动的电压范围从100伏到690伏，功率从几瓦到几百万瓦。驱动系统与电网相连，产生一个振幅和频率可变的三相电压，从而控制电机的扭矩和速度。我们广泛的半导体模块产品系列助您设计低压驱动器，以提高工艺生产率和能源效率，并进一步降低维护成本。

最适合您的工业驱动器的半导体是新型带有IGBT7的TRENCHSTOP™模块。我们提供Easy 和 EconoDUAL™封装。CoolSiC™ MOSFETs是针对高度集成驱动器的最佳解决方案。通过使用硅MOSFET技术，开关和传导损耗被最小化。这使被动冷却成为可能。对于苛刻的环境，如钢铁行业，我们的高级H2S保护技术为保护半导体免受腐蚀性气体损坏提供了一个可靠的解决方案。

我们提供品种丰富的栅极驱动器IC，如EiceDRIVER™ portfolio产品系列，助您对功率半导体进行完美控制。为了实现最佳过程控制，我们不仅提供基于XMC™ 和 PSoC® 6 MCU的微控制器产品组合，还提供基于NOR Flash 和持久耐用的RAM 存储器系列的内存解决方案。另外，我们的OPTIGA Trust 产品确保与现有网络的安全连接。

我们在下面的页面上提供了详细的概述和示例性框图以及产品链接，可为您的应用选择合适的解决方案。请进一步了解：

通用驱动器（例如：泵和风扇，起重机和升降机、压缩机)
伺服驱动器（例如：机器人、材料处理、电梯）
商用暖通空调系统

产品

产品亮点

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 -高功率密度和优化的开关性能

使用新型微模式沟槽技术，1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和EC7二极管能够以极低的损耗达到高水平的可控性。该产品专门针对工业驱动应用进行了优化，可以降低静态损耗，提高功率密度，并使开关更为柔和。

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EconoDUAL™ 3（半桥，中等功率应用）

EconoDUAL™ 3模块现在可与最新的TRENCHSTOP™ IGBT7代一起使用，将1200 V电源组合从600 A扩展到900 A。900 A的 1200 V EconoDUAL™ 模块改进了封装技术，可在相同的占板空间内承受更高的电流和温度。与TRENCHSTOP™ IGBT7技术相结合，它可以显著地降低损耗，具有高水平的可控性和开关柔软性，以及高短路能力。通过将功率模块过载时允许的最高工作温度提高至 175℃，实现了高效率和高功率密度，从而简化系统，降低成本。

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带有NTC, IPC, IGBT 模块的PrimePACK™

出类拔萃的PrimePACK™ IGBT 半桥模块和带有内部NTC的斩波器模块为现代转换器集成带来特别优化的新概念。

其最重要的优势包括高可靠性和高寿命需求、改进的热性能、低杂散电感、工作温度范围广、高隔离集成NTC和英飞凌的1200 V和1700 V TRENCHSTOP™ 技术。

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NOR 闪存

NOR Flash 具有快速的随机读取性能，是嵌入式系统中存储代码的理想存储器。
此性能还支持XIP（就地执行）功能，该功能允许主机控制器直接从NOR闪存执行代码，而无需将代码先复制到RAM。更高级别的串行NOR储存器性能使XIP能够在多种应用程序中进行各种设计。

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Persistent RAM持久耐用的存储器

非易失性RAM产品，如F-RAM 和 nvSRAM，将非易失性数据存储与RAM的高性能结合起来。这些符合RoHS标准的存储器经久耐用，在85°C 温度下数据可保持10年以上，具有即时的非易失性而无需外部备用电池，从而实现系统可靠性和降低成本。

单片上ECC的MoBL®Asynchronous SRAMs适用于要求最高可靠性和性能标准的工业系统。在电池支持系统中，8Mbit SRAM的最佳待机电流为6.5µA（85°C时），这些SRAM因此延长了电池寿命。再加上小于0.1 FIT/Mb的软错误率，这些超低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）适用于各种应用。

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