低压驱动
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低压驱动的电压范围从100伏到690伏，功率从几瓦到几百万瓦。驱动系统与电网相连，产生一个振幅和频率可变的三相电压，从而控制电机的扭矩和速度。我们广泛的半导体模块产品系列助您设计低压驱动器，以提高工艺生产率和能源效率，并进一步降低维护成本。
最适合您的工业驱动器的半导体是新型带有IGBT7的TRENCHSTOP™模块。我们提供Easy 和 EconoDUAL™封装。CoolSiC™ MOSFETs是针对高度集成驱动器的最佳解决方案。通过使用硅MOSFET技术，开关和传导损耗被最小化。这使被动冷却成为可能。对于苛刻的环境，如钢铁行业，我们的高级H2S保护技术 为保护半导体免受腐蚀性气体损坏提供了一个可靠的解决方案。
我们提供品种丰富的栅极驱动器IC，如EiceDRIVER™ portfolio产品系列，助您对功率半导体进行完美控制。为了实现最佳过程控制，我们不仅提供基于XMC™ 和 PSoC® 6 MCU的微控制器产品组合，还提供基于NOR Flash 和 持久耐用的RAM 存储器系列的内存解决方案。另外，我们的OPTIGA Trust 产品确保与现有网络的安全连接。
我们在下面的页面上提供了详细的概述和示例性框图以及产品链接，可为您的应用选择合适的解决方案。请进一步了解：
英飞凌功率模块和磁盘设备损耗和热计算的在线功率仿真程序。
在给定的静态负载条件下，采用三相电机驱动逆变器系统来仿真各个器件的功率损耗和结温。
采用三相电机驱动变频系统来仿真，给定静态负载条件下 IPM 内部各器件的功耗和结温。
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白皮书：CoolSiC™ –伺服驱动器的完美解决方案
了解CoolSiC™ MOSFET如何助您将逆变器集成到电机中，从而降低开关和传导损耗。结合先进的工业微控制器，我们提供了一个紧凑的伺服解决方案，可以完成自我冷却，且不需要比电源连接和数字连接更多的电缆。
网络研讨会：CoolSiC™-伺服驱动器的完美解决方案
碳化硅MOSFET是伺服驱动器的完美匹配？没错！这个特别的网络研讨会揭示了为什么要比较IGBT和SiC MOSFET的性能水平，并解释了使用英飞凌的.XT互连技术的好处。
应用介绍：我们推动驱动器的效率发展 - 利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。
我们推动驱动器的效率发展。利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。网络研讨会所示的整套幻灯片也可供下载，您可在单个PDF文件中查看所有重要概述。
带有Easy3B IGBT7和XENSIV™电流传感器的GPD参考板
REF_22k_GPD-INV_Easy3B GPD参考设计套件采用英飞凌最新技术，提供业界最佳性能。电源模块是新的Easy3B FP100R12W3T7_B11，采用PIM配置中最新的TRENCHSTOP™ IGBT7技术。为了增强对IGBT7的控制，使用了具有低电感损耗的电隔离单通道栅极驱动器1ED3131MC12H，使效率进一步提高0.5%。
使用XENSIV ™ 磁电流传感器的工业驱动演示器
英飞凌展示了使用XENSIV ™ 磁电流传感器TLI4971的用于一般用途的新型工业驱动演示器，驱动功率高达22 kW，包括微控制器、传感器、功率模块EconoPIM™ 2和辅助电源
匹配TRENCHSTOP™ IGBT7 的EconoDUAL™产品
EconoDUAL™ IGBT模块是全球最流行的IGBT封装之一，用于诸如通用驱动器；商用、建筑和农用车辆以及eBus；太阳能；风能；牵引；UPS以及传输和分布等许多应用。现在最新一代模块的电流可以增加到900 A。匹配新的IGBT7技术，可以实现更高的功率密度并降低BoM成本。
电机逆变器的关键元件功率半导体
您想知道在这个电源转换阶段可以找到的各种拓扑结构及其顶层工作原理吗？了解被动和两级主动整流方法的基本概念。
本培训将向您介绍CoolSiC™如何为下一代伺服驱动器设计服务。
关于如何根据工业驱动需求选择可靠和高效的解决方案的教程。我们来看看与您的应用相关的功率、电压、拓扑和频率等关键问题。
