工业电机驱动和控制
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我们广泛的高效半导体产品系列特别针对电机变进行了优化。您可以依靠我们的智能功率模块（IPM）和分立器件，实现低功率范围的智能化设计。对于中等功率驱动，我们的模块EasyPIM™ 和 EconoPIM™可以实现完美搭配。对于功率驱动，EconoDUAL™ 和PrimePACK™是可选的解决方案。结合创新的.XT互连技术，PrimePACK™ 模块可以通过提高热循环和功率循环能力延长使用寿命，从而帮助设计者克服高估难题。
我们产品系列的明星产品是专门针对驱动应用定制的TRENCHSTOP™ IGBT7 模块。TRENCHSTOP™ IGBT7 设备是通用驱动 (GPD) 应用的理想选择，采用各种经过检验的封装，可改善功率密度、控制性和过载能力，从而节省成本和时间。对于高速驱动和逆变器集成而言，CoolSiC™ MOSFET 是颇具吸引力的解决方案，因为它们能够降低开关和导通损耗，尤其是在部分负载条件下更是如此。
除了我们的功率半导体外，我们还为所有硅和碳化硅（SiC）元器件提供栅极驱动IC。我们丰富的EiceDRIVER™ 产品组合可从基本功能扩展到高级功能。对于汽车无刷直流电机等电池供电应用，客户可以放心使用我们各种各样的硅材料 MOSFET，包括OPTIGA™ Trust 解决方案 系列。为了完善该系列产品，辅助您的设计为工业 4.0 做好准备，我们提供 iMOTION™， XMC™ 和 AURIX™微控制器，辅以满足最高安全标准的 OPTIGA™ Trust 解决方案 ，以支持不断增长的连接需求。这些设备可以与我们XENSIV™产品系列的传感器结合使用为您的设计带来更多的感官智能，并实现预测性维护等创新功能。
设计驱动逆变器的关键问题
以下是您通常会询问的五个关键问题。通过下面的交互式图表了解更多信息。
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设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
应用
还要确认您的客户是否有其他特殊要求，例如：抗振动性、长使用寿命、高温、极高的速度、散热器类型（水冷或风冷）、如图所示的过载条件等
您的具体应用是什么？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
应用（续）
在驱动应用中，由于电机绝缘系统的限制，开关速度受到限制。因此，开关斜率 (dv/dt) 限制在每微秒 2 - 10 kV (kV/µs) 的范围内，典型目标为 5 kV/µs。
您的具体应用是什么？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
电流
虽然电机功率级是标准化的，但不同制造商产品的输出电流略有不同。功率因数、电机效率、调制方案等诸多因素都会对此产生影响。
RMS 输出电流是多少？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
电压
如何选择合适的电压等级要取决于电网的输入电压。请注意，最高直流链路电压会有 10% 的容差。由于宇宙射线的可靠性，该值不得超过 IGBT 阻断电压的三分之二。
交流/直流电压是多少？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
拓扑
应用是否需要制动开关？我们仔细看一下整流器：采用的是单相、有源前端还是三相设计？如果是三相整流器，它采用的是何种控制方式？
拓扑是什么？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
拓扑（续）
对于高达 22 kW 的驱动，客户通常使用 PIM 模块。对于 30 至 90 kW 范围内的驱动，则使用六单元模块或半桥。对于 90 kW 以上的驱动，则只使用半桥模块。如果是伺服驱动设计，客户往往使用六单元或 PIM 模块。
拓扑是什么？ -
设计驱动逆变器中的 5 个关键问题
频率
相较于其他应用，工业驱动应用通常以中等开关频率工作。一般情况下，典型值是 4 kHz。如图所示，提高开关频率可以降低可听噪声。
开关频率是多少？
随着自动化程度的提高，对伺服电机的需求也相应增加。他们将精确的运动控制与高扭矩水平相结合的能力使他们非常适合自动化和机器人技术。
英飞凌利用其专业制造知识和长期经验，开发了一种SiC沟槽技术，其性能高于IGBT，且具有不错的稳定性，例如，短路时间为两（或2）µs，甚至三（或3）µs。英飞凌的CoolSiC™ MOSFETs 还解决了碳化硅元器件固有的潜在问题，例如不需要的电容性导通。SiC MOSFETs在工业标准TO247-3封装中可用，现在在TO247-4封装中具有更好的开关性能。此外，CoolSiC MOSFETs也可在贴片封装TO267-7中使用。除了这些TO封装外，SiC MOSFET还提供Easy 1B、Easy 2B和62mm封装。
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Podcast4Engineers: Industrial Drives
Modern industrial drives need to be smaller, more efficient, and easier to use while delivering the performance and robust operation required in industrial applications such as commercial HVAC, robotics, and process automation.
Learn more about Infineon’s solutions for industrial drives and what’s to come in this area.
白皮书：CoolSiC™ –伺服驱动器的完美解决方案
了解CoolSiC™ MOSFET如何助您将逆变器集成到电机中，从而降低开关和传导损耗。结合先进的工业微控制器，我们提供了一个紧凑的伺服解决方案，可以完成自我冷却，且不需要比电源连接和数字连接更多的电缆。
网络研讨会：CoolSiC™-伺服驱动器的完美解决方案
碳化硅MOSFET是伺服驱动器的完美匹配？没错！这个特别的网络研讨会揭示了为什么要比较IGBT和SiC MOSFET的性能水平，并解释了使用英飞凌的.XT互连技术的好处。
应用介绍：我们推动驱动器的效率发展 - 利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。
我们推动驱动器的效率发展。利用我司的专业技术选择最佳的驱动系统。网络研讨会所示的整套幻灯片也可供下载，您可在单个PDF文件中查看所有重要概述。
您想知道在这个电源转换阶段可以找到的各种拓扑结构及其顶层工作原理吗？了解被动和两级主动整流方法的基本概念。
本培训将向您介绍CoolSiC™如何为下一代伺服驱动器设计服务。
关于如何根据工业驱动需求选择可靠和高效的解决方案的教程。我们来看看与您的应用相关的功率、电压、拓扑和频率等关键问题。
工业驱动：概述和主要趋势
Webinars
Servo drives come handy in a lot of applications, but controlling them and the power needed to drive them can be challenging when attempting to do it efficiently. Similarly, handling overload and short-circuit conditions is critical. Through this webinar, we will demonstrate best practices of protecting them and how to ensure the protection is reliable, robust and sufficiently fast for all operations. We will also give an exciting overview of suitable boards for evaluation and show the comprehensive Infineon portfolio of SiC MOSFETs and gate driver solutions.
Key Takeaways
- Understand how Infineon responds to the trends in the industry drives market: e.g. inverter integration with SiC MOSFETs and get an overview of some of the solutions offered
- Learn how to enable lower switching losses compare to IGBTs at same dV/dt levels and enhanced switching control
- Explore how to avoid the main pitfalls when driving SiC MOSFETs
- Discover how to reliably protect SiC MOSFETs using EiceDRIVER™ gate drivers
