FORVIA HELLA下一代充电解决方案选择使用英飞凌新型车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET

【 2025 年 3 月 13 日 , 德国慕尼黑讯】跨国汽车供应商FORVIA HELLA的下一代800 V直流-直流（DC-DC）充电解决方案选择使用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）新型车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET采用 Q-DPAK 封装，专为800 V汽车架构中的车载充电器和DC-DC应用设计。该产品采用顶部冷却（TSC）技术，拥有出色的散热性能，而且组装更简便，系统成本更低。

英飞凌科技汽车业务高压芯片和分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“我们很高兴与FORVIA HELLA继续合作，为其提供英飞凌基于TSC封装的高能效SiC产品。我们一直致力于通过高度先进的SiC解决方案满足汽车行业对高性能、高质量和低系统成本的严格要求，将电动汽车的发展推向新高度。”

FORVIA HELLA 电子事业部执行董事会成员Guido Schütte表示：“我们以客户为中心，所以我们的下一代 DC-DC 转换器选择采用英飞凌的车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。我们将与英飞凌一起，持续提供超越客户期望的可持续创新产品和全方位服务，共同推动先进的交通出行技术的发展。

英飞凌新型车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET采用Q-DPAK封装并基于Gen1p技术，其驱动电压范围在VGS(off)= 0 V至VGS(on)= 20 V。它通过0 V关断实现了单极栅极控制，减少了PCB中的元件数量，简化了设计。Q-DPAK封装的爬电距离为4.8 mm，无需额外的绝缘涂层就能达到900 V以上的工作电压。与背面冷却相比，TSC技术能够优化PCB的组装，减少寄生效应，并显著降低漏感。因此，客户可从更低的封装寄生参数和开关损耗中获益。通过采用 .XT 技术对芯片进行扩散焊接进一步提高了散热效果。

供货情况

采用Q-DPAK封装的车规级 1200 V CoolSiC™ MOSFET 现已上市。了解更多信息，请访问 www.infineon.com/Q-DPAK。

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工，在2024财年（截至9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

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