英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade

2013-3-25 | 市场新闻

2013年3月18日,德国纽必堡和加州长滩讯—英飞凌科技股份公司 (FSE代码: IFX/OTCQX代码: IFNNY) 今日在 2013 应用电力电子会议暨展览会 (APEC) 中宣布推出DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件,它集成了 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级。DrBlade 包含最新一代低压 DC/DC 驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET 器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数,能达到最高的 DC/DC调压系统效率,适用于计算及电信应用,包 括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。

全新 Blade封装技术
英飞凌创新的Blade 封装技术,采用芯片嵌入概念,使用电镀制程取代标准的封装制程,例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外,芯片也以叠层薄片进行保护。其 结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感,同时亦降低热阻。

英飞凌低压功率转换产品资深总监Richard Kuncic 表示:“英飞凌是业界第一家推出采用Blade 技术的集成了驱动器及 MOSFET 半桥的半导体公司。DrBlade 的推出可提升服务器应用在全负载范围的效率,再度证明我们在功率半导体领域的领导地位。”

节省空间,提高效率
DrBlade 封装面积为 5x5mm,高度仅为 0.5mm,可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。DrBlade 拥有优化的引脚规划,可简化 PCB布局。采 用全新的芯片嵌入式封装技术,再结合英飞凌的 OptiMOS MOSFET,这使 DrBlade 成为低压市场的最佳稳压解决方案。

上市时间与定价
DrBlade样品已开始提供,并于2013年第二季度量产。

关于英飞凌全新Blade系列产品的更多信息,请访问: www.infineon.com/drblade

About Infineon

总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2012财年(截止到9月30日),公司实现销售额39亿欧元,在 全球拥有约26,700名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场( OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。

更多信息请访问 www.infineon.com

本新闻稿还可在 www.infineon.com/press/上找到。

Information Number

INFPMM201303.032

Press Photos

  • DrBlade contains the latest generation low voltage DC/DC driver technology and OptiMOST MOSFET devices. Infineon`s highly innovative Blade packaging technology offers significantly reduced package footprint, package resistance and inductance, as well as low thermal resistance.
    DrBlade contains the latest generation low voltage DC/DC driver technology and OptiMOST MOSFET devices. Infineon`s highly innovative Blade packaging technology offers significantly reduced package footprint, package resistance and inductance, as well as low thermal resistance.
    DrMOS-DrBlade

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