英飞凌推出具备180A额定电流和不足1毫欧通态电阻的30V车用MOSFET
2010年7月26日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)今天面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET( 金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0.9毫欧。采 用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0,可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求:以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术,OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向(EPS)系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成本和效率原因,整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术相对于以往的技术,在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数( FoM=栅电荷x通态电阻)达到业界最低水平。此外,英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线受限问题,降低键合引线通态电阻的降幅,并增强电流功能。通 过使键合引线更凉能进一步提高可靠性。最新的Powerbond技术可确保一个MOSFET具备多达4条500微米键合引线,使标准封装器件具备180A的额定电流。
OptiMOS-T2技术和结实耐用的封装经过精心设计,能够在MSL1 (1级潮湿度)条件下,承受回流焊接过程中的260 °C高温,并且采用无铅电镀,以符合RoHS标准。I PB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽车电子委员会(AEC-Q101)的规范要求。英飞凌先进的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关损耗和出色的优值系数,可使电机效率达到新高,同 时最大限度降低EMC辐射。此外,优化的栅电荷可确保更小的驱动输出级。
IPB180N03S4L-H0可满足需要许多并联MOSFET的大电流应用(超过500A)的要求。由于IPB180N03S4L-H0具备180A额定电流,因此,可 使大电流系统所需的并联MOSFET减少一半,从而优化电流共享、热性能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制(PWM)控制以提高效率,因此,OptiMOS-T2 30V器件还可提供电池反向连接保护功能。
“英飞凌具备基于OptiMOS-T2沟槽技术的广泛汽车MOSFET产品组合。这些器件都采用结实耐用的封装,具备出类拔萃的性能和品质。”英飞凌公司标准汽车功率产品营销总监Torsten Blanke博士指出,“通过推出具备180 A 额定电流的全新30V OptiMOS-T2器件,英飞凌再次在最大电流(采用标准封装)和最低通态电阻(采用沟槽技术)方面树立了行业标杆。”
供货情况
具备180A漏极电流和仅0.9mΩ通态电阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已实现批量生产。此外,英飞凌还提供另一种型号的器件——30V/180A ( IPB180N03S4L-01)。该器件在10V栅源电压条件下,具备1.05毫欧的通态电阻,适用于十分注重成本的应用。这两款高功率MOSFET均采用标准的D2PAK-7封装。
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About Infineon
总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——能源效率、通讯和安全性提供半导体和系统解决方案。2009财年(截止到9月份),公司实现销售额30.3亿欧元,在 全球拥有约25,650名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场( OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。
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INFATV201007.060
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Infineon's OptiMOS™-T2 30V MOSFETs are ideal for use in high-current automotive motor drive applications, electric power steering (EPS) and start/stop functionality.OptiMOS-T2_30V
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