带反并联二极管的IGBT中的二极管设计思考 2006-6-5 | 市场新闻 带反并联二极管的IGBT中的二极管设计思考 用于嵌入式功率系统的先进的100V MOSFET器件 用ICB1FL02G设计高功率节能灯(Energy Saving Lamp) 600V IGBT技术全新基准:英飞凌TrenchStop™ 英飛凌推出領先業界的一系列100V MOSFET Information Number 0605