Technologieförderung

Infineon Austria führt Forschungs- und Entwicklungsprojekte auf zukunftsorientierten Technologiefeldern durch, die u.a. von Organisationen der Europäischen Union und der Republik Österreich gefördert werden.

Beispiele für Unterstützer auf EU-Ebene sind der Europäische Fonds für regionale Entwicklung (EFRE), die ECSEL Initiative und Horizon 2020, oder auf Bundesebene die Österreichische Forschungsförderungsgesellschaft (FFG).

Ausgewählte Forschungsprojekte nach Fördergeber

FutureGaN:

Wo Silizium-Technologien in Applikationen an ihre Grenzen stoßen, verspricht Galliumnitrid (GaN) eine bessere Performance. GaN ist jedoch noch zu teuer für einen breiten wirtschaftlichen Einsatz am Markt. FutureGaN verfolgt daher evolutionäre Forschungsansätze, um GaN-Technologien für die Volumenproduktion vorzubereiten.

FutureSiC:

Das Ziel von FutureSiC ist die Weiterentwicklung von Siliziumkarbid-Systemen mit Spannungen ab 600V für Motor/Generator-Ansteuerungen und AC/DC Power Conversion deutlich über den aktuellen Stand der Technik hinaus. Die Forschungsaktivitäten umfassen sowohl technologische Aufgabenstellungen als auch Arbeiten zu neuen Zuverlässigkeitstests für SiC-Technologien.

FutureSilicon-HV:

Im Rahmen von FutureSilicon-HV sollen Hochvolt-Siliziumtechnologien noch näher an die physikalischen Limits gebracht werden um kostengünstige und energieeffiziente Anwendungen zu ermöglichen und somit die Führungsposition in diesem Segment zu halten und noch auszubauen.

FutureSMART:

FutureSMART erforscht die Bereitstellung innovativer smarter Schalter für den Einsatz im Bordnetz von Automobilen. Die Projektziele umfassen den Ersatz mechanischer Schalter, die Realisierung software-konfigurierbarer Leistungsverteiler, und die Entwicklung von Schaltern für die redundante, sichere Versorgung von Steuergeräten für sicherheitskritische Fahrerassistenzsysteme.

 

iDev40:

iDev40 fokussiert sich auf die digitale Verknüpfung von Wertschöpfungsketten mittels Industrie 4.0 Technologien. Dabei werden Entwicklungs-, Logistik- und Produktionsprozesse ganzheitlich betrachtet und somit in Europa gefertigte elektronische Komponenten und Systeme nachhaltig gestärkt.

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UltimateGaN:

26 Partner aus neun Ländern forschen drei Jahre lang an der nächsten Energiesparchip-Generation basierend auf dem neuen Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN). Ziel ist es, diese Leistungshalbleiter zu global wettbewerbsfähigen Kosten für eine Vielzahl von Anwendungen bereitzustellen.

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OptoQuant

Das Quantenforschungsprojekt "OptoQuant" arbeitet an der Integration optischer Komponenten für Ionenfallen basierend auf modernen Halbleiter-Fertigungsprozessen. Damit soll die Zuverlässigkeit als auch die Präzision von Quantenprozessoren erhöht und die Entwicklung von Quantencomputern beschleunigt werden. 

LiDcAR:

Das zentrale Ziel von LiDcAR ist es, den langfristigen Weg für ein zukünftige Light Detection and Ranging (LiDAR) Sensorprodukt made in Austria zu ebnen. Über laborgestützte Technologieevaluierungen, Realisierung experimenteller Prototypen, LiDAR Metrologie Entwicklung, sowie reproduzierbare und realitätsnahe Tests in der ALP.Lab Testregion wird dieses herausfordernde Ziel erreicht.

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iLIDS4SAM:

Ziel von iLIDS4SAM ist der Einsatz automatisierter Mobilitätssysteme in komplexen städtischen Verkehrsszenarien. Zu diesem Zweck werden hochleistungsfähige, kostengünstige LiDAR-Sensoren mit erhöhtem Sichtfeld und erhöhter Auflösung entwickelt.

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PIEDMONS:

PIEDMONS erforscht bahnbrechende Innovationen für Design und Fertigung von kostengünstigen Quantencomputern.

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TELL:

TELL erforscht Lösungen für Antriebssysteme im Niedrig- und Mittelspannungsbereich sowie Technologien zur Massenproduktion für dieses Segment.

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Multi-Moby:

Im Projekt Multi-Moby wird an der Entwicklung, Herstellung und Markteinführung von sicheren, effizienten und leistbaren städtischen Elektrofahrzeugen für Passagiere und Nutzfahrzeuge geforscht.

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Seit März 2021 ist Infineon Austria Teil des europäischen Förderprojektes „Important Project of Common European Interest (IPCEI) on ME1“ und trägt damit zur Stärkung der europäischen Mikroelektronik-Industrie bei.

Ziel ist es, basierend auf bestehenden Technologien, neue Generationen von Halbleitern zu entwickeln und diese in kürzestmöglicher Zeit in eine stabile Massenfertigung zu überführen. Dazu zählen MOSFET- und SMART-Technologien ebenso wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), Rectifier und MEMS-Anwendungen. Damit soll die Entwicklung und Erlangung der Marktreife von Spitzentechnologien „made in Europe“ beschleunigt und die Unabhängigkeit Europas bei High-Tech-Lösungen für Elektrifizierung und Digitalisierung sowie für die CO2- Reduktion gewährleistet werden.

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