AIMW120R045M1
概要
AIMW120R045M1は、信頼性、品質、性能に対して、車載業界から求められる高い要件に適合することに特化して設計されています。
CoolSiC™MOSFETを使い、コンバーターを高いスイッチング周波数で使用すると、磁気部品のサイズや重量を最大で25%、劇的に低減できます。しかし、その結果、アプリケーション自体は大幅なコスト増になります。性能アップにより、電気自動車に対する高効率要件に関する新規制基準に合致します。優れたゲート酸化膜の信頼性と、クラス最高のSiC クオリティ・エクステンションは、非常に長く安全な製品寿命を保証し、きわめて厳しいミッションプロファイルに求められる条件にも適合します。たとえば、1200Vスイッチでのきわめて低いゲート電荷とデバイス静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などにより、設計への導入やアプリケーション設計が容易になります。
特長
- 革新的な半導体材料:炭化ケイ素 (SiC)
- 非常に低いスイッチング損失
- 無閾値オン状態特性
- IGBT互換の駆動電圧(ターンオンで15V)
- 0Vターンオフゲート電圧
- 基準ゲート閾値電圧、VGS(th)= 4.5V
- 完全に制御可能なdv / dt
- 同期整流に対応したボディダイオード
- 温度に依存しないターンオフスイッチング損失
利点
- 効率改善
- より高い周波数の使用が可能
- 高い電力密度
- 冷却対策の時間削減
- システムの複雑さとコストの削減
推奨アプリケーション例
- オンボード充電器/ PFC
- ブースター/ DC-DCコンバーター
- 補助インバータ
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