SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™ MOSFET
SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™ MOSFET サブカテゴリー
SiC MOSFETソリューションは、“エネルギースマート”な世界に向けた重要な次のステップです。
インフィニオンは、量産実績と互換性に関するノウハウを活かし、画期的なCoolSiC™ MOSFET技術を導入し、これまでにない新しい製品設計を実現しました。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べ、SiC (炭化ケイ素) パワーMOSFETは多くの利点をもたらします。400 Vから2000 VのCoolSiC™ MOSFET製品は、太陽光発電インバーター、バッテリー充電、蓄電システム、モーター駆動、UPS、補助電源、SMPSなど、幅広いアプリケーションが対象です。
SiC MOSFET技術
炭化ケイ素 (SiC) CoolSiC™ MOSFET技術は、システム設計者に、最高の性能、信頼性、使いやすさを提供します。炭化ケイ素 (SiC) パワー トランジスタは、新たな柔軟性をもたらし、かつてないレベルの効率性と信頼性を活かしています。高耐圧CoolSiC™ MOSFET技術は、逆回復特性においても目覚ましい改善を提供します。
CoolSiC™製品
インフィニオンの CoolSiC™ MOSFET は、高い効率と最高の信頼性を提供します。当社の製品群は、ディスクリート構成のほか、650 V、1200 V、1700 V、および2000 Vの電圧クラスのモジュールで入手可能です。当社のCoolSiC™ MOSFET ポートフォリオは、ディスクリート製品およびモジュール製品をご用意しています。モジュール製品では、3レベル、4パック、ハーフブリッジ、6パック、およびブースター構成で提供しています。
CoolSiC™ MOSFETには、一連の利点があります。SiCスイッチにおいてみられる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低いスイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオンステート特性が含まれます。
インフィニオン独自のCoolSiC™MOSFETは、さらに利点を追加します。優れたゲート酸化膜の信頼性は、最先端のトレンチ設計、同クラスで最も低いスイッチング損失および導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth=4Vのしきい値電圧、短絡耐量によって実現されています。まさに信頼できる革命です。
これにより、LLCやZVSのようなハードスイッチングや共振スイッチングのトポロジーに最適で、使いやすいドライバでIGBTやMOSFETのように駆動することができる、堅牢なSiC製のMOSFET技術が実現されています。高いスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、電力密度の向上、高い寿命信頼性を可能にします。
Product line up
The world’s first high-performance 1200 V CIPOS™ Maxi SiC IPM in the smallest and most compact package
CoolSiC™ MOSFET based CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the world’s first 1200 V transfer molded silicon carbide IPM which integrated an optimized 6-channel 1200V SOI gate driver and 6 CoolSiC™ MOSFETs.
The smallest and most compact package in 1200 V class, IM828-XCC combines a power rating in excess of 4.8 kW with exceptional power density, reliability and performance.
> Discover more information about CIPOS™ Maxi
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
This video highlights the benefits of CoolSiC™, as seen through the eyes of our customers. Featuring testimonials from alpitronic, Tritium, Lite-On, Siemens Mobility, and Fronius, we see how SiC is driving innovation in energy generation, storage, and consumption.
This video provides valuable insights into the advantages of WBG (SiC & GaN) technology and its potential impact on the future of renewable energy, especially solar and energy storage systems.
CoolSiC™ MOSFET Webinars
This training will introduce you to the gate oxide reliability of CoolSiC™ MOSFETs and how Infineon's design enables the effective screening of defects by opting for a trench MOSFET.
Additionally, you will understand how this decision has allowed Infineon to achieve high reliability that surpasses that of mature silicon technology without negatively impacting key performance parameters.
The switching performance in particular is influenced by the chip's inherent properties, the device's operating conditions and the external circuitry. Optimizing operating conditions and circuitry can significantly improve the device performance in an application.
Circuit designers benefit from SPICE compact models that they can use in computer simulation to understand, troubleshoot and optimize the static and dynamic device behavior of applications through virtual prototyping.
This training explains the characteristics and use cases of simulation models offered by Infineon for CoolSiC™ MOSFETs, what to use them for and how to use them effectively.
This training provides an insight about the system benefits of wide-bandgap devices, which will conquer market share in areas where power density, efficiency and/or battery range are decisive. The training focuses on two applications, mobile chargers and on-board chargers, and will talk about the challenges faced by the solutions today and how SiC and GaN provide next levels of performance.
Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.
CoolSiC™ MOSFETに関するマイクロラーニング
This training will introduce you to the gate oxide reliability of CoolSiC™ MOSFETs and how Infineon's design enables the effective screening of defects by opting for a trench MOSFET.
Additionally, you will understand how this decision has allowed Infineon to achieve high reliability that surpasses that of mature silicon technology without negatively impacting key performance parameters.
Discover the benefits and challenges associated with connecting SiC power MOSFETs in parallel
このトレーニングでは、CoolSiC™がUPSアプリケーションに最適である理由を紹介します。
このトレーニングでは、Siチップと比較してインバータの設計方法を変えるSiCの特性について説明します。また、インフィニオンが開発した信頼性試験を適用することで、SiC特有の劣化メカニズムや、これらの特殊な故障モードを考慮したアプリケーションでのSiCデバイスの生存を保証する方法について説明します。これらは、より良い品質、安全性、信頼性の高いデバイス性能を長年にわたって保証するために、SiCデバイスの認定に内部的に必須となっています。
このトレーニングでは、Easyモジュール用のCoolSiC™ MOSFET 1200 V M1Hテクノロジー、およびワイドバンドギャップ材料の分野で拡大を続けるインフィニオンのEasyモジュールのラインアップに精通し、最新のM1H 1200 Vシリーズに付随する主要機能と利点についてご紹介します。
双方向コンバータにWBGスイッチを使用する理由、使用されるトポロジー、およびその機能をご紹介します。
電気自動車市場の拡大に伴い、業界ではEVチャージャーへの要件がより高まっています。
このEラーニングでは、CoolSiC™ MOSFETの登場により、EVチャージャーの小型化、高速化、高効率化を実現し、EVチャージャー業界にもたらす改善点についてご紹介します。
CoolSiC™ MOSFETの駆動は、あなたが思っているよりずっと簡単です。このトレーニングでは、0Vのターンオフゲート電圧で駆動する方法を紹介します。
CoolSiC™ MOSFETの駆動は、あなたが思っているよりずっと簡単です。このトレーニングでは、0Vのターンオフゲート電圧で駆動する方法を紹介します。
このトレーニングでは、SiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流と消費電力の要件に基づいて適切なゲート駆動ICを特定する方法、およびラボ環境でのワーストケース条件に基づいてゲート抵抗値を微調整する方法を学習します。
このビデオでは、IGBTとSiC MOSFETの電力処理能力の比較に焦点を当て、特定のアプリケーションのためにIGBTまたはMOSFETの寸法を決める際に考慮する必要があるさまざまな側面について説明します。
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ターゲットアプリケーションにおけるインフィニオンのCoolSiC™ソリューションの特徴と利点を区別し、この自動車市場の移行に対応するインフィニオンの完全にスケーラブルなCoolSiC™ポートフォリオを特定することができます。
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自動車用アプリケーションでシリコンカーバイド技術の導入が増加している理由を説明します。
インフィニオンは、3つの主要なパワー半導体技術すべてにおいて、信頼できる専門知識を提供しています。AC-DCアプリケーションでの位置づけをご確認ください！
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