概要

TO-247PLUSパッケージでの最高電流密度IGBT

最大電流密度が75A、1200VのIGBT、もしくは120A、600VのIGBTが、TO-247PLUSのフットプリントにダイオードと共に封止されており、20%低いRth(jh)、15%高い放熱性、高速クリップアセンブリを実現しています。

製品

ハイライト

TO-247とTO-247PLUSの比較

ファミリー製品の詳細

TO-247PLUSパッケージの1200V、IGBT

並列接続(同一Ic)での電源スイッチ数の削減

新しいTO-247パッケージは、広いアクティブチップ面積により、75Aのダイオードと、最大75AのIGBTを一緒に封止しています。TO-247-3パッケージに25A のダイオード3個使用した製品は、TO-247PLUS パッケージに75A のダイオードを1個使用した製品に置き換えることができます。並列処理を減らすことで、より簡単なIGBT制御、高いシステム信頼性、コンパクト設計、少ないBOMが実現されています。

既存設計を簡単にアップグレードし、高出力化

高電流密度のTO-247PLUS-3と使用すると、同一フットプリント、熱条件を維持したまま、40AのIGBTを75A IGBTに置き換えることができます。インフィニオンの社内実験室での試験では、TO-247-3パッケージのB6ブリッジ駆動トポロジーを使用した40AのIGBTを、TO-247PLUSパッケージの75AのIGBTに置き換えることにより、Poutが増加しました。

既存設計を簡単にアップグレードして、より高い電力を実現できます。再設計の労力が少なくてすむため、研究開発コストを削減し、再設計の時間を短縮できます。

システムの熱管理の改善：TjとTcの削減(同じIcで)

TO-247PLUSパッケージ裏面のサーマルパッド面積が35%広くなったことにより、パッケージのRthが20%減少し、放熱性が15%上昇しました。TO-247-3パッケージの40AのIGBTを、TO-247PLUSパッケージで同一電流の40AのIGBTに置き換えると、接合部温度Tjを下げることができます。接合部温度Tjが下がれば、IGBTの熱抵抗を下げ、小型ヒートシンクの使用が可能になります。低冷却力の冷却ファンは、面積も小さく、また価格削減も可能です。

TO-247PLUSパッケージを使用することで、設計柔軟性を最大化できます。

アプリケーションでの使用：

システム定格電流Ic	現在のソリューション	TO247PLUSを使用したソリューション	置換比率	TO-247PLUS3使用するメリット
電力密度の増加-電力出力の増加
40 A → 75 A	IKW40N120T2	IKQ75N120CT2	1:1	システム電流を40%以上増加現在のTO-247-3設計を容易にアップグレード >電力出力40%以上設計時間の短縮、研究開発コスト削減
40 A → 75 A	IKW40N120H3	IKQ75N120CH3	1:1
同じシステム電流を維持したまま並列化を削減
25 A → 25 A	3 x IKW25N120T2	1 x IKQ75N120CT2	3:1	システム電力密度の向上同一ICで小型PCBフットプリント簡単なIGBT制御、設計信頼性の向上アセンブリ時間を短縮
25 A → 25 A	2 x IKW25N120T2	1 x IKQ50N120CT2	2:1
40 A → 40 A	2 x IKW40N120T2	1 x IKQ75N120CT2	2:1
熱管理の改善、Tjの削減
40 A → 40 A	IKW40N120T2	IKQ40N120CT2	1:1	放熱性を10～15%改善 TcおよびTjを低減冷却要件が下がり、冷却ファンが小型化⇒BOMコスト削減コンパクトなヒートシンク→コンパクトな設計
40 A → 40 A	IKW40N120H3	IKQ40N120CH3	1:1