WCDSC006
概要
堅牢かつ効率的なワイヤレス充電を実現するハーフブリッジ レベルシフト ゲートドライバーIC
EiceDRIVER™ WCDSC006ハーフブリッジゲートドライバは、特にスマートフォン用の電磁誘導方式ワイヤレス充電 テクノロジーでは、ハイサイドMOSFETとローサイドMOSFETの両方をハーフブリッジインバータ構成で駆動するのに非常に適しています。
ゲートドライバーの入力はTTL (transistor-transistor logic) 互換で、VDD電圧範囲に関係なく、入力電圧耐量は最大7 Vです。ハイサイドとローサイドのパワーデバイスが独立して駆動するにもかかわらず、EiceDRIVER™ WCDSC006ゲートドライバーは5ns(typ.)のデッドタイムを強制的に発生させてシュートスルーを防止します。シンク電流4.0 A、ソース電流2.0 A、最大60 Vのブートストラップ電圧を提供し、高入力電圧動作を行います。
EiceDRIVER™ WCDSC006ゲートドライバーは、インフィニオンのOptiMOS™ 5パワーMOSFETファミリーとの相性がよく、高い堅牢性と効率を実現し安全なワイヤレス電力伝送を実現します。
特長
- -0.3V~7Vの入力ビン 機能
- ハイサイドドライバおよびローサイドドライバ用の4Aシンクおよび2Aソース電流容量
- 独立したハイサイド/ローサイドTTLロジック入力
- 統合ブートストラップダイオード
- 60Vの最大ブートストラップ電圧
- シュートスルーを防止するための5ns(typ.)のデッドタイム
利点
- 堅牢性の向上
- スイッチングモードの高速化と結果的な効率性の向上
- 柔軟性の向上
- 外付けコンポーネントは不要
- マージンの向上と動作の堅牢性向上
- クロス導通の危険性なし
推奨アプリケーション例
サポート