85V-300V N-沟道功率 MOSFET-英飞凌infineon官网

该组合包含以下产品：

• OptiMOS™ 6 100V
• OptiMOS™ 6 120 V
• OptiMOS™ 5 100 V MOSFET & OptiMOS™ 5 150 V MOSFET
• 逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 100 V
• OptiMOS™ 线性 FET 100 V/150 V/200 V
• OptiMOS™ 快速二极管 200 V/220 V/250 V/300 V
• OptiMOS™ 300 V

英飞凌旗下拥有丰富的 85 V-300 V N 沟道 MOSFET 产品，可满足工业及汽车应用的需求。以下可了解有关各型号产品的更多信息。

OptiMOS™ 100 V MOSFET

OptiMOS™ 6 100 V功率MOSFET 是英飞凌最新的功率MOSFET技术，在高开关频率应用中具有更好的性能和更高的效率。英飞凌的OptiMOS™ 6功率MOSFET 100 V系列瞄准了开关模式电源（SMPS）以及太阳能、电动工具和电池管理系统等应用。

OptiMOS™ 5 100 V N沟道功率MOSFET 工业级器件适用于使用同步整流的应用，例如电信和服务器电源以及太阳能, 低电压驱动器, 笔记本电脑适配器，以及其他应用。

与同类器件相比、 OptiMOS™ 5 100 V功率MOSFET的漏源导通电阻（R_DS(on) )降低了22%，并且在低导通电阻的品质因数（FOM）方面处于行业领先地位，在SuperSO8封装中，其阻抗值低至2.7 mΩ。

同时英飞凌也可提供80V电压等级的产品。

100 V N沟道MOSFET

为了满足高和低开关频率的要求，英飞凌设计了一个广泛的100V N沟道MOSFET产品线，采用了 OptiMOS™和 ™StrongIRFET硅片技术。OptiMOS™ 100 V MOSFET产品针对需要宽开关频率的高性能应用进行了优化，而StrongIRFET™ N沟道100 V MOSFET产品则针对低于100 kHz的开关频率进行了优化。稳健的设计为工业应用提供了稳健性和更高的承载能力。

OptiMOS™ 5和IR MOSFET™ 100 V逻辑电平

对于无线充电, 适配器和电信应用，英飞凌的OptiMOS™ 5和IR MOSFET™ 100 V逻辑电平系列产品具有高功率密度和高开关频率。由于这些器件的栅极电荷较低（Q_g ），可以在不影响传导损耗的情况下降低开关损耗。PQFN 2x2提供了极小的外形尺寸，是空间紧凑应用的理想选择。

同时英飞凌也可提供60V和80V电压等级的产品。

OptiMOS™线性FET 100 V/150 V/200 V

OptiMOS™ Linear FET有100 V、150 V、200 V的N沟道MOSFET电压等级，设计用于减少传导损耗，建立更快，中间过程更短。该产品系列采用了一种革命性的方法，提供了沟槽MOSFET最先进的导通电阻（R_DS(on) ），同时还具有经典平面MOSFET的宽安全工作区（SOA）。

该产品系列旨在限制高浪涌电流，从而防止在负载处发生损坏，使其成为热插拔和电子保险丝（电子熔断器）应用的理想选择，例如在电信和电池管理系统应用。

120 V-300 V N沟道功率MOSFET

英飞凌的120 V-300 V N沟道功率MOSFET系列专为高性能应用而设计。120 V和150 V级功率MOSFET采用了 OptiMOS™最先进的技术，非常适合用于高频开关，并在应用中提供出色的性能。 例如用于交流转直流SMPS中的同步整流和12 V-48 V系统服务器风扇以及电动工具中的电机控制和电信和数据通信系统中的隔离的DC-DC转换器。

OptiMOS™快速二极管功率MOSFET的设计具有较低的反向恢复电荷（Q_rr ）和较低的峰值反向恢复电荷，在200 V-300 V电压等级范围内对硬换向的稳健性进行了优化，是电信、D类音频放大器、DC-AC逆变器、工业电源、不间断电源和电机控制等硬开关应用的理想选择。

OptiMOS™ 5 150 V MOSFET

英飞凌的一系列 OptiMOS™ 5 150 V功率MOSFET突破性地降低了RDS_(on)（与SuperSO8中的次佳替代品相比，最高可达25%）和低Q _rr 值，而不影响品质因数（FOM_gd ）和输出电荷品质因数（FOM_OSS ）。这有效地降低了设计工作量，同时优化了系统效率。这些器件特别适用于低电压驱动，如叉车和电动摩托车，以及电信和太阳能应用。

 OptiMOS™ 5 150 V MOSFET技术可以用更小的同类最佳的SuperSO8(PQFN 5x6)封装器件来取代TO-220替代品，从而使开关能够提供更高的功率密度和更低的电压过冲(V_DS )，因为封装电感的减少。

OptiMOS™快速二极管200 V/220/250 V/300 V N沟道MOSFET

针对硬开关拓扑结构进行了优化的OptiMOS™快速二极管（FD）是英飞凌最新一代功率MOSFET中的一个系列产品，电压为200 V、220 V、250 V和300 V，设计用于体二极管硬换向。

OptiMOS™ FD系列优化了反向恢复电荷（Q_rr ），是为追求最高性能标准的客户提供的优化解决方案。 OptiMOS™ FD产品，包括250 V MOSFET N沟道，与OptiMOS™ 3相比，Q_rr 降低了40%。

这种低Q _rr 值，通过大幅减少电压过冲，提高了系统的可靠性，从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求，降低了工程成本和工作量。

OptiMOS™ 300 V

英飞凌的OptiMOS™ 300 V MOSFET系列采用特别针对体二极管硬换向而优化的快速二极管技术，为硬开关应用提供了高性能和设计可能性。英飞凌凭借这一额外的电压等级树立了另一个基准，将OptiMOS™产品系列从20V扩展到300V。

OptiMOS™ 300 V器件具有令人印象深刻的导通电阻（R_DS(on) ）、品质因数（FOM）和市场上最低的反向恢复电荷（Q_rr ）。这使其具有出色的高系统可靠性和硬换向稳健性，是电信、不间断电源（UPS）、工业电源、DC-AC逆变器和电机控制等硬开关应用的理想选择。

D ²PAK封装的40.7 mΩ 300 V OptiMOS™ 在电机控制等大电流应用中减少了传导损耗，提高了整体效率。这是业界最低的FOM，比其他器件低30%以上，降低了系统功率损失。这也使开关模式应用中的快速开关成为可能，如60V电信系统中的同步整流。

85 V-300 V N 沟道 MOSFET 产品组合是不间断电源、太阳能供电应用、叉车、轻型电动车等应用的理想选择。英飞凌 85 V-300 V N 沟道 MOSFET 具备极低的反向恢复电荷 (Q_rr)、出色的导通电阻 (R_DS(on)) 和支持快速开关和硬开关的品质因数 (FOM)，可有效降低系统整体成本。

汽车用 85 V-300 V N 沟道 MOSFET

英飞凌旗下拥有型号丰富的 85 V-300 V N 沟道 MOSFET 产品，均已通过汽车标准认证。欲查找更多产品，请浏览汽车 MOSFET 页面。